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公开(公告)号：CN119760972A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411752046.9
申请日：2024-12-02
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F119/12
Abstract: 本发明涉及一种基于栅极电阻的压接IGBT器件电热联合仿真方法，属于功率半导体器件领域。该仿真方法通过建立电路模型和热场模型，并利用Matlab算法调控栅极电阻与温度，实现了电路模型与热场模型之间的双向耦合。其中，电路模型采用SIMULINK仿真，提供电热联合仿真建模的电路数据；热场模型采用COSMOL仿真，提供电热联合仿真建模的热场数据。通过修正后的功率损耗作为电热联合仿真结果输出，并验证了该仿真方法具有较高的准确性和稳定性。该仿真方法可以用于评估压接IGBT器件在不同工作条件下的温度变化和功率损耗，并为器件设计优化提供参考。
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公开(公告)号：CN112968007B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN112968007A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110149779.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN119716443A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411752059.6
申请日：2024-12-02
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于压接式功率器件温度与压力测量的超声探头与散热器集成装置及方法，属于半导体器件技术领域。该集成装置的水冷散热器与多芯片压接式功率器件的电极表面贴合，水冷散热器内开设有若干用于安装超声探头的探头凹槽，探头凹槽的分布方式根据压接式功率器件内部的芯片位置分布确定，超声探头安装于探头凹槽内时，超声探头的超声波发射和接收部位正对于压接式功率器件中对应的芯片，并且与压接式功率器件的电极表面贴合；本发明通过压接式功率器件的压力与反射系数之间的关系曲线和稳态结温波动与压力波动之间的关系曲线测定压接式功率器件的压力和稳态结温。本发明可以有效降低现有超声探头基座对压接式功率器件散热性能的影响。
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