公开(公告)号：CN119862837A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411769007.X

申请日：2024-12-04

Applicant: 重庆大学 ,  国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 李辉 ,  陈昕睿 ,  姚然 ,  赖伟 ,  向学位 ,  段泽宇 ,  季一润 ,  袁文迁 ,  槐青 ,  袁茜

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明涉及一种计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法，属于功率半导体器件仿真建模技术领域，包括以下步骤：S1：在Simulink中构建IGBT电路模型；S2：在COMSOL中构建IGBT电热耦合多物理场模型；S3：定义各部分的材料属性，定义IGBT芯片寄生电容的电压和温度敏感特性；考虑温度变化和电压变化对极间电容的影响，定义基于静电学的电容计算公式；S4：设置多物理场和边界条件，选择电场、热场耦合模块，设置电场强度、温度初始边界条件；S5：对Simulink模型和COMSOL模型进行场路联合；S6：进行Simulink‑COMSOL联合仿真，通过仿真模型获得IGBT动静态特性。

公开(公告)号：CN119716443A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411752059.6

申请日：2024-12-02

Applicant: 重庆大学 ,  国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  国网冀北电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 李辉 ,  段泽宇 ,  姚然 ,  赖伟 ,  袁文迁 ,  季一润 ,  槐青 ,  袁茜 ,  黄诗洋

IPC: G01R31/26 ,  G01L1/25 ,  G01K11/22 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于压接式功率器件温度与压力测量的超声探头与散热器集成装置及方法，属于半导体器件技术领域。该集成装置的水冷散热器与多芯片压接式功率器件的电极表面贴合，水冷散热器内开设有若干用于安装超声探头的探头凹槽，探头凹槽的分布方式根据压接式功率器件内部的芯片位置分布确定，超声探头安装于探头凹槽内时，超声探头的超声波发射和接收部位正对于压接式功率器件中对应的芯片，并且与压接式功率器件的电极表面贴合；本发明通过压接式功率器件的压力与反射系数之间的关系曲线和稳态结温波动与压力波动之间的关系曲线测定压接式功率器件的压力和稳态结温。本发明可以有效降低现有超声探头基座对压接式功率器件散热性能的影响。

公开(公告)号：CN119760972A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411752046.9

申请日：2024-12-02

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  王雨奇 ,  袁文迁 ,  季一润 ,  槐青 ,  袁茜 ,  黄诗洋

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/23 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F119/12

Abstract: 本发明涉及一种基于栅极电阻的压接IGBT器件电热联合仿真方法，属于功率半导体器件领域。该仿真方法通过建立电路模型和热场模型，并利用Matlab算法调控栅极电阻与温度，实现了电路模型与热场模型之间的双向耦合。其中，电路模型采用SIMULINK仿真，提供电热联合仿真建模的电路数据；热场模型采用COSMOL仿真，提供电热联合仿真建模的热场数据。通过修正后的功率损耗作为电热联合仿真结果输出，并验证了该仿真方法具有较高的准确性和稳定性。该仿真方法可以用于评估压接IGBT器件在不同工作条件下的温度变化和功率损耗，并为器件设计优化提供参考。