公开(公告)号：CN119044708A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411084589.8

申请日：2024-08-08

Applicant: 重庆大学 ,  国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  郭达 ,  李学海 ,  赖伟 ,  向学位 ,  段泽宇 ,  王雨奇 ,  陈思宇 ,  季一润 ,  袁文迁 ,  槐青

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/327 ,  G01R31/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明涉及一种基于有限测量下柔直换流阀功率子模块状态反演方法，属于直流电网领域。基于有限的换流阀子模块内部关键器件的电压、电流的测量，通过多物理场耦合效果和换流阀故障树模型，计算换流阀的可靠性指标，反演出换流阀子模块内部的状态分布情况，既保证了传感器的可靠工作，又大大节省了计算时间。同时，还考虑了运行工况的实际情况，使得换流阀子模块内部状态监测更加精确。

公开(公告)号：CN119760972A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411752046.9

申请日：2024-12-02

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  王雨奇 ,  袁文迁 ,  季一润 ,  槐青 ,  袁茜 ,  黄诗洋

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/23 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F119/12

Abstract: 本发明涉及一种基于栅极电阻的压接IGBT器件电热联合仿真方法，属于功率半导体器件领域。该仿真方法通过建立电路模型和热场模型，并利用Matlab算法调控栅极电阻与温度，实现了电路模型与热场模型之间的双向耦合。其中，电路模型采用SIMULINK仿真，提供电热联合仿真建模的电路数据；热场模型采用COSMOL仿真，提供电热联合仿真建模的热场数据。通过修正后的功率损耗作为电热联合仿真结果输出，并验证了该仿真方法具有较高的准确性和稳定性。该仿真方法可以用于评估压接IGBT器件在不同工作条件下的温度变化和功率损耗，并为器件设计优化提供参考。

公开(公告)号：CN117973135A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410163886.5

申请日：2024-02-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  姚然 ,  王雨奇 ,  赖伟 ,  李学海 ,  向学位 ,  段泽宇 ,  陈璇

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/27 ,  G06F17/10 ,  G06F17/11 ,  G06F119/08 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及一种基于数字孪生的SiC MOSFET器件热分布实时监测方法，属于功率半导体器件领域，包括以下步骤：S1：对SiC MOSFET器件进行有限元建模，将多物理场有限元模型的边界条件作为训练数据，所述边界条件为功率损耗；S2：构建数字孪生体，利用所述训练数据进行训练；S3：通过电流传感器和电压传感器采集SiC MOSFET器件的电流和电压数据，输入数字接口计算功率损耗；S4：数字接口将计算的功率损耗输入数字孪生体，计算焊料层的温度分布。