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公开(公告)号：CN118995051A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410935250.8
申请日：2024-07-12
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 郑州三磨超硬材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种耐高离子强度的硅溶胶型CMP抛光液，所述抛光液由以下含量的原料组成：硅溶胶磨料15%‑40%，碱性化合物（速率促进剂）1.0%‑4.0%，pH值稳定剂0.5%‑5.0%，复配型稳定分散剂0.3%‑1.0%，消泡剂0.001%‑0.1%，余量为去离子水，此抛光液的pH值为11.3‑11.8。本发明的硅溶胶型CMP抛光液，解决了在高离子强度下，纳米级硅溶胶颗粒由于电荷屏蔽带来的颗粒团聚问题，并且能够保证体系抛光效率达对比样品的90%以上。同时克服了抛光液产品长期储存过程中颗粒团聚、分层等不稳定的问题，使得产品具有较高的使用周期和寿命。
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公开(公告)号：CN118496767A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410518902.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种环保高效的GaAs晶片的抛光组合物，所述抛光组合物由以下重量百分比的原料组成：抛光剂磨料0.8%‑40%；碱性化合物0.01%‑10%；氧化剂1%‑25%；氧化稳定剂0.001%‑0.5%；表面活性剂0.001%‑1%；余量为去离子水，此抛光组合物的pH值为7.5‑9.1。本发明抛光组合物采用绿色环保的氧化剂，解决了含次氯酸钠类氧化剂抛光液长期使用对人体的损害和环境污染问题；同时，在pH7.5‑9.0和氧化稳定剂的配合下，使抛光组合物具有高的材料移除速率，对设备和环境友好等特点。
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公开(公告)号：CN119842323A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411857052.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于获得高质量SiC单晶衬底表面的CMP组合物，其由下述重量百分比的原料制成：抛光磨料20‑50 wt%，氧化剂3‑5 wt%，表面活性剂0.1‑0.5 wt%，氢键调节剂0.2‑0.5 wt%，抛光促进剂0.2‑1 wt%，消泡剂0.01‑0.05wt%，余量为水；所述CMP组合物呈中性。该CMP组合物采用氧化硅作为磨料，引入氢键调节剂、抛光促进剂和氧化剂，提升碳化硅晶圆CMP抛光速率，实现清洗后硅面表面粗糙度Ra可达0.07nm以下，清洗后表面无大颗粒（＞0.2um），同时无需对氧化硅原料进行处理，具有优异的长期储存稳定性，并且体系随着储存时间的延长不会出现颗粒团聚和沉降现象，在后续抛光过程中能够获得优异的抛光表面质量。
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公开(公告)号：CN116372824A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310604570.0
申请日：2023-05-26
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型镜面抛光PVA海绵砂轮，其特征在于，所述砂轮主要由以下质量百分比的原料制成：聚乙烯醇10‑50%，酚醛树脂液1‑10%，磨料10‑70%，异氰酸酯固化剂1‑30%，催化剂0.1‑1%，发泡剂0.5‑2%，匀泡剂0.5‑2%，余量为水。使用该砂轮加工工件，一方面，砂轮保障其具有较强耐磨力和磨削力的同时，并基于其体系独特的气孔结构，可使砂轮在磨削工件时能迅速排除磨削热，不发生堵塞，实现稳定、长时间连续研磨；另一方面，基于其体系内结合剂具有缓冲性的特点，使砂轮在运转及与工件接触时，磨料的刃尖产生相应振动，使磨料切入均匀化，不会对研磨面产生较深划痕，最终得到均匀的、呈镜面的加工表面。
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公开(公告)号：CN115556011A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211187924.8
申请日：2022-09-28
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于硅片精密抛光的磨抛轮，其由毡基体、磨料和树脂结合剂三部分组成；以体积百分比计，毡基体50%～95%，磨料5%～50%；树脂结合剂为毡基体和磨料总质量的1%～5%。将该磨抛轮用于硅片的抛光，可以提高硅片表面质量，减少硅片的表面损伤，且耗时短，成本低，抛光过程中无需添加研磨液或抛光液，绿色环保。
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