公开(公告)号：CN118995051A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410935250.8

申请日：2024-07-12

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 ,  郑州三磨超硬材料有限公司

Inventor： 魏莹 ,  李俊锋 ,  孟汝浩 ,  任津池 ,  李鑫

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种耐高离子强度的硅溶胶型CMP抛光液，所述抛光液由以下含量的原料组成：硅溶胶磨料15%‑40%，碱性化合物（速率促进剂）1.0%‑4.0%，pH值稳定剂0.5%‑5.0%，复配型稳定分散剂0.3%‑1.0%，消泡剂0.001%‑0.1%，余量为去离子水，此抛光液的pH值为11.3‑11.8。本发明的硅溶胶型CMP抛光液，解决了在高离子强度下，纳米级硅溶胶颗粒由于电荷屏蔽带来的颗粒团聚问题，并且能够保证体系抛光效率达对比样品的90%以上。同时克服了抛光液产品长期储存过程中颗粒团聚、分层等不稳定的问题，使得产品具有较高的使用周期和寿命。

公开(公告)号：CN118496767A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410518902.8

申请日：2024-04-28

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 魏莹 ,  孟汝浩 ,  李俊锋 ,  代克 ,  李鑫 ,  徐明艳 ,  任津池

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种环保高效的GaAs晶片的抛光组合物，所述抛光组合物由以下重量百分比的原料组成：抛光剂磨料0.8%‑40%；碱性化合物0.01%‑10%；氧化剂1%‑25%；氧化稳定剂0.001%‑0.5%；表面活性剂0.001%‑1%；余量为去离子水，此抛光组合物的pH值为7.5‑9.1。本发明抛光组合物采用绿色环保的氧化剂，解决了含次氯酸钠类氧化剂抛光液长期使用对人体的损害和环境污染问题；同时，在pH7.5‑9.0和氧化稳定剂的配合下，使抛光组合物具有高的材料移除速率，对设备和环境友好等特点。

公开(公告)号：CN119842323A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411857052.0

申请日：2024-12-17

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 李俊锋 ,  魏莹 ,  孟汝浩 ,  徐明艳 ,  代克 ,  李雯 ,  任津池

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于获得高质量SiC单晶衬底表面的CMP组合物，其由下述重量百分比的原料制成：抛光磨料20‑50 wt%，氧化剂3‑5 wt%，表面活性剂0.1‑0.5 wt%，氢键调节剂0.2‑0.5 wt%，抛光促进剂0.2‑1 wt%，消泡剂0.01‑0.05wt%，余量为水；所述CMP组合物呈中性。该CMP组合物采用氧化硅作为磨料，引入氢键调节剂、抛光促进剂和氧化剂，提升碳化硅晶圆CMP抛光速率，实现清洗后硅面表面粗糙度Ra可达0.07nm以下，清洗后表面无大颗粒（＞0.2um），同时无需对氧化硅原料进行处理，具有优异的长期储存稳定性，并且体系随着储存时间的延长不会出现颗粒团聚和沉降现象，在后续抛光过程中能够获得优异的抛光表面质量。