公开(公告)号：CN119842323A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411857052.0

申请日：2024-12-17

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 李俊锋 ,  魏莹 ,  孟汝浩 ,  徐明艳 ,  代克 ,  李雯 ,  任津池

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于获得高质量SiC单晶衬底表面的CMP组合物，其由下述重量百分比的原料制成：抛光磨料20‑50 wt%，氧化剂3‑5 wt%，表面活性剂0.1‑0.5 wt%，氢键调节剂0.2‑0.5 wt%，抛光促进剂0.2‑1 wt%，消泡剂0.01‑0.05wt%，余量为水；所述CMP组合物呈中性。该CMP组合物采用氧化硅作为磨料，引入氢键调节剂、抛光促进剂和氧化剂，提升碳化硅晶圆CMP抛光速率，实现清洗后硅面表面粗糙度Ra可达0.07nm以下，清洗后表面无大颗粒（＞0.2um），同时无需对氧化硅原料进行处理，具有优异的长期储存稳定性，并且体系随着储存时间的延长不会出现颗粒团聚和沉降现象，在后续抛光过程中能够获得优异的抛光表面质量。