-
公开(公告)号：CN116399828A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310567966.2
申请日：2023-05-19
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
IPC: G01N21/3504 , G01N21/3563 , G01N1/28 , G01N1/34 , G01N1/32 , G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种电镀划片刀磨料浓度检测方法，通过将晶圆划片刀或封装划片刀中的金刚石磨料转换为二氧化碳，再经过红外光谱分析实现磨料浓度的检测，解决了现行业内电镀划片刀磨料浓度精准检验方法缺失的问题；该划片刀磨料检验方法的开发，有效地提升了电镀划片刀产品的质量稳定性，使各规格划片刀磨料浓度实现精确控制。
-
公开(公告)号：CN114871954A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210394970.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380~440μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
-
公开(公告)号：CN117779151A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311837180.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明提出了一种电镀晶圆划片刀及其制备方法，属于超硬磨具制造的技术领域，用以解决电镀划片刀中存大颗粒导致在切割中存在异常崩口的技术问题。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将金刚石微粉分散在溶剂中，超声配置成分散液，对分散液进行离心，得到上层离心液和微粉样；(2)将上层离心液进行抽滤Ⅰ、清洗和干燥，得到预处理金刚石微粉；(3)将预处理金刚石微粉通过电镀工艺镀覆在基体表面，经后处理，得到成品电镀划片刀；所述分散液包括多元醇和水。本发明能够快速准确的检出并清除金刚石微粉中的大颗粒，使所制备电镀划片刀中金刚石粒径分布均匀，不含有大颗粒。
-
公开(公告)号：CN117721427A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311750510.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于超硬磨具制造技术领域，具体涉及一种划片刀及其制备方法，用以解决电镀工艺中划片刀磨料层中靠近基体侧与远离基体侧（刀刃两侧面）的金刚石浓度不均匀的技术问题。制备步骤如下：（1）将铝合金轮毂基体的外边缘圆环区域依次经喷砂、化学处理得到预处理后的基体；（2）将预处理后的基体在磁控溅射设备中表面除杂和溅射锌靶材后，在真空条件下喷洒金刚石微粉，然后磁控溅射镍钴合金靶材，重复喷洒和磁控溅射镍钴合金靶材过程制得含有镍钴基‑金刚石复合镀层的基体；（3）将步骤（2）含有镀层的基体经后加工处理得到划片刀。本发明提出了一种绿色的划片刀制备工艺，划片刀的镀层中金刚石浓度在厚度方向一致，加工材料时，无崩裂现象。
-
公开(公告)号：CN114871954B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210394970.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380 440~μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113172779B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110359262.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。
-
公开(公告)号：CN111451952B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010542652.3
申请日：2020-06-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有微尺寸冷水槽的电镀砂轮的制作方法，包括：将圆盘形状的铝基体浸入电镀液中，通过遮挡在大端面形成厚度10～50μm的复合镀层；将复合镀层的外缘部分背后的铝基体去除，之后得到具有特定长度刀刃的圆盘形刀片；移动激光头，使其焦点距离刀刃外缘一段距离，并调整焦距使其聚焦在刀刃上；基座旋转带动刀片旋转，激光头在刀刃上加工出呈圆周阵列排布的冷水槽；激光加工后的刀刃，经过电解抛光和磨刀板修整。非接触加工方式保证了在冷水槽制作过程中不会对刀刃造成损伤。在保证刀刃强度不明显降低的基础上，刀刃两侧增加了冷水槽结构，增强冷却能力和排屑能力，对玻璃、碳化硅、厚硅片有较好的切割。
-
公开(公告)号：CN113172779A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110359262.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。
-
公开(公告)号：CN111633479A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010546293.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法，包括：步骤1、将磨刀板固定，安装划片刀；步骤2、磨刀，随着划切刀数的增加，切入磨刀板深度逐渐增大，进刀速度逐渐增大，总共划切20~40刀；步骤3、固定砷化镓假片；步骤4、修锐，随着划切刀数的增加，切入砷化镓假片深度逐渐增大，进刀速度逐渐增大，总共划切20~50刀；步骤5、切割质量检验，测量缝宽和正崩尺寸，如果缝宽和正崩都满足要求，则修整完成；如果缝宽或者正崩超出质量要求，则返工或报废。保证划片刀具备较好的初始切割质量，并且加入了100%切割性能检验之后，客户现场切割质量更稳定。
-
公开(公告)号：CN114839083A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210574198.9
申请日：2022-05-25
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种划片刀抗弯强度测试装置，包括用于夹紧划片刀的夹紧机构和驱动夹紧机构转动的旋转驱动机构；还包括用于装载测针的进给机构和装载有显微镜的三轴微调平台；进给机构与夹紧机构移动配合以使测针接触划片刀；三轴微调平台与夹紧机构配合以使显微镜对准测针与划片刀的接触点。本发明通过气动夹头夹持划片刀，使用高精度微调平台调整显微镜的聚焦点，便于清晰观察测量；通过直线模组驱动测力件水平移动，通过测针接触划片刀的刀刃，通过控制器输出位移‑力曲线，通过控制移动的位移，显微镜的倍率、气动夹头的回转，调整测针和划片刀接触的位置，测试刀片局部抗弯强度，且能够达到高重复性、无损测试。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.027 seconds)
