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公开(公告)号：CN113172780A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110369700.8
申请日：2021-04-07
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法，首次提出划片刀用环形修刀板，将SiC晶圆与环形修刀板一起粘贴在胶膜后吸附在陶瓷工作盘上再依次进行切割，实现了SiC晶圆划片刀切割过程中的在线修整功能，每次划切时均先经过环形修刀板进行修刀，随后对SiC晶圆进行划切，最后再次经过环形修刀板进行修刀，保证了刀刃表面金刚石磨料的出露，解决了划片刀失去切割能力导致突然断刀的问题，不仅节省了单独修刀的时间，还减少了SiC晶圆切割过程中发生断刀的概率。
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公开(公告)号：CN113172780B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110369700.8
申请日：2021-04-07
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法，首次提出划片刀用环形修刀板，将SiC晶圆与环形修刀板一起粘贴在胶膜后吸附在陶瓷工作盘上再依次进行切割，实现了SiC晶圆划片刀切割过程中的在线修整功能，每次划切时均先经过环形修刀板进行修刀，随后对SiC晶圆进行划切，最后再次经过环形修刀板进行修刀，保证了刀刃表面金刚石磨料的出露，解决了划片刀失去切割能力导致突然断刀的问题，不仅节省了单独修刀的时间，还减少了SiC晶圆切割过程中发生断刀的概率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111451952A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010542652.3
申请日：2020-06-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有微尺寸冷水槽的电镀砂轮的制作方法，包括：将圆盘形状的铝基体浸入电镀液中，通过遮挡在大端面形成厚度10～50μm的复合镀层；将复合镀层的外缘部分背后的铝基体去除，之后得到具有特定长度刀刃的圆盘形刀片；移动激光头，使其焦点距离刀刃外缘一段距离，并调整焦距使其聚焦在刀刃上；基座旋转带动刀片旋转，激光头在刀刃上加工出呈圆周阵列排布的冷水槽；激光加工后的刀刃，经过电解抛光和磨刀板修整。非接触加工方式保证了在冷水槽制作过程中不会对刀刃造成损伤。在保证刀刃强度不明显降低的基础上，刀刃两侧增加了冷水槽结构，增强冷却能力和排屑能力，对玻璃、碳化硅、厚硅片有较好的切割。
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公开(公告)号：CN111451952B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010542652.3
申请日：2020-06-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有微尺寸冷水槽的电镀砂轮的制作方法，包括：将圆盘形状的铝基体浸入电镀液中，通过遮挡在大端面形成厚度10～50μm的复合镀层；将复合镀层的外缘部分背后的铝基体去除，之后得到具有特定长度刀刃的圆盘形刀片；移动激光头，使其焦点距离刀刃外缘一段距离，并调整焦距使其聚焦在刀刃上；基座旋转带动刀片旋转，激光头在刀刃上加工出呈圆周阵列排布的冷水槽；激光加工后的刀刃，经过电解抛光和磨刀板修整。非接触加工方式保证了在冷水槽制作过程中不会对刀刃造成损伤。在保证刀刃强度不明显降低的基础上，刀刃两侧增加了冷水槽结构，增强冷却能力和排屑能力，对玻璃、碳化硅、厚硅片有较好的切割。
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公开(公告)号：CN111633479A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010546293.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法，包括：步骤1、将磨刀板固定，安装划片刀；步骤2、磨刀，随着划切刀数的增加，切入磨刀板深度逐渐增大，进刀速度逐渐增大，总共划切20~40刀；步骤3、固定砷化镓假片；步骤4、修锐，随着划切刀数的增加，切入砷化镓假片深度逐渐增大，进刀速度逐渐增大，总共划切20~50刀；步骤5、切割质量检验，测量缝宽和正崩尺寸，如果缝宽和正崩都满足要求，则修整完成；如果缝宽或者正崩超出质量要求，则返工或报废。保证划片刀具备较好的初始切割质量，并且加入了100%切割性能检验之后，客户现场切割质量更稳定。
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公开(公告)号：CN113172781A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110369726.2
申请日：2021-04-07
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 一种超薄晶圆的划切方法，利用跳步划切的方式，首先将晶圆划切为较大芯片颗粒，将晶圆内应力进行释放，然后再将较大芯片颗粒划切为更小颗粒，直至划切为目标尺寸，该方法适用于30～200μm厚度晶圆的划切，完美解决了超薄晶圆容易发生裂片、崩边的问题，降低划切过程中飞晶发生概率，降低超薄晶圆划切正面、背面崩边不良率，提高超薄晶圆划切效率。
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公开(公告)号：CN205482775U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201620083916.2
申请日：2016-01-28
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本实用新型公开了一种基于双测微仪的厚度测量装置，包括XYZ三轴运动平台，Z轴上下两端连接横梁，横梁上同轴设置第一测微仪和第二测微仪，XYZ三轴运动平台相对Z轴设置工件支架，工件支架上固定装卡平台，第一测微仪和第二测微仪连接放大器，XYZ三轴的运动导轨分别连接PLC控制器。利用测微仪进行测量，可实现快速读数，精度远远优于千分表，稳定性好；采用双测微仪同时进行测量，且两个测微仪上下相对放置，避免了测量精度受被测工件变形的影响；被测工件的测量点位置可通过X和Y轴运动而实现变动，从而可对应多个不同的测量位置，而无需重新安装更改硬件，测量方便灵活；利用测微仪进行测量，不受工件材质和表面粗糙度的限制。
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