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公开(公告)号：CN117779151A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311837180.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明提出了一种电镀晶圆划片刀及其制备方法，属于超硬磨具制造的技术领域，用以解决电镀划片刀中存大颗粒导致在切割中存在异常崩口的技术问题。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将金刚石微粉分散在溶剂中，超声配置成分散液，对分散液进行离心，得到上层离心液和微粉样；(2)将上层离心液进行抽滤Ⅰ、清洗和干燥，得到预处理金刚石微粉；(3)将预处理金刚石微粉通过电镀工艺镀覆在基体表面，经后处理，得到成品电镀划片刀；所述分散液包括多元醇和水。本发明能够快速准确的检出并清除金刚石微粉中的大颗粒，使所制备电镀划片刀中金刚石粒径分布均匀，不含有大颗粒。
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公开(公告)号：CN117721427A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311750510.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于超硬磨具制造技术领域，具体涉及一种划片刀及其制备方法，用以解决电镀工艺中划片刀磨料层中靠近基体侧与远离基体侧（刀刃两侧面）的金刚石浓度不均匀的技术问题。制备步骤如下：（1）将铝合金轮毂基体的外边缘圆环区域依次经喷砂、化学处理得到预处理后的基体；（2）将预处理后的基体在磁控溅射设备中表面除杂和溅射锌靶材后，在真空条件下喷洒金刚石微粉，然后磁控溅射镍钴合金靶材，重复喷洒和磁控溅射镍钴合金靶材过程制得含有镍钴基‑金刚石复合镀层的基体；（3）将步骤（2）含有镀层的基体经后加工处理得到划片刀。本发明提出了一种绿色的划片刀制备工艺，划片刀的镀层中金刚石浓度在厚度方向一致，加工材料时，无崩裂现象。
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公开(公告)号：CN114871954B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210394970.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380 440~μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
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公开(公告)号：CN113172781A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110369726.2
申请日：2021-04-07
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 一种超薄晶圆的划切方法，利用跳步划切的方式，首先将晶圆划切为较大芯片颗粒，将晶圆内应力进行释放，然后再将较大芯片颗粒划切为更小颗粒，直至划切为目标尺寸，该方法适用于30～200μm厚度晶圆的划切，完美解决了超薄晶圆容易发生裂片、崩边的问题，降低划切过程中飞晶发生概率，降低超薄晶圆划切正面、背面崩边不良率，提高超薄晶圆划切效率。
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公开(公告)号：CN114871954A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210394970.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380~440μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113172780A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110369700.8
申请日：2021-04-07
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法，首次提出划片刀用环形修刀板，将SiC晶圆与环形修刀板一起粘贴在胶膜后吸附在陶瓷工作盘上再依次进行切割，实现了SiC晶圆划片刀切割过程中的在线修整功能，每次划切时均先经过环形修刀板进行修刀，随后对SiC晶圆进行划切，最后再次经过环形修刀板进行修刀，保证了刀刃表面金刚石磨料的出露，解决了划片刀失去切割能力导致突然断刀的问题，不仅节省了单独修刀的时间，还减少了SiC晶圆切割过程中发生断刀的概率。
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公开(公告)号：CN113172779B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110359262.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。
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公开(公告)号：CN113172779A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110359262.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。
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公开(公告)号：CN114672860B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210202342.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表面无凸起的电镀超薄切割砂轮的制作方法：将精加工过的铝合金轮毂基体组装模具后进行电镀预处理，包括：除油清洗‑水洗‑氧化层去皮‑水洗‑酸洗除灰‑水洗‑无氰浸锌溶液一次浸锌‑水洗‑退锌‑水洗‑无氰浸锌溶液二次浸锌‑水洗；将电镀预处理过的铝合金轮毂基体浸入含有金刚石微粒的电镀溶液中使基体外圆3‑4mm处沉积镍基‑金刚石复合镀层；去除表面的镍基金属凸起和浮沙修整镀层外圆，将复合镀层靠近刀片的铝合金基体边缘浸入氢氧化钠溶液中腐蚀掉，使复合镀层暴露出300‑700um长度，形成刀刃。该方法使刀片在切割过程避免晶圆正面崩裂的应用失效，同时电镀预处理工艺使用无氰溶液，降低了废液处理成本。
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公开(公告)号：CN114672860A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210202342.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表面无凸起的电镀超薄切割砂轮的制作方法：将精加工过的铝合金轮毂基体组装模具后进行电镀预处理，包括：除油清洗‑水洗‑氧化层去皮‑水洗‑酸洗除灰‑水洗‑无氰浸锌溶液一次浸锌‑水洗‑退锌‑水洗‑无氰浸锌溶液二次浸锌‑水洗；将电镀预处理过的铝合金轮毂基体浸入含有金刚石微粒的电镀溶液中使基体外圆3‑4mm处沉积镍基‑金刚石复合镀层；去除表面的镍基金属凸起和浮沙修整镀层外圆，将复合镀层靠近刀片的铝合金基体边缘浸入氢氧化钠溶液中腐蚀掉，使复合镀层暴露出300‑700um长度，形成刀刃。该方法使刀片在切割过程避免晶圆正面崩裂的应用失效，同时电镀预处理工艺使用无氰溶液，降低了废液处理成本。
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