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公开(公告)号：CN103959477B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201280056853.6
申请日：2012-11-16
Applicant: 追踪有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供用于制造薄膜晶体管TFT装置的系统、方法及设备。在一方面中，提供具有源极区域、漏极区域及通道区域的衬底。金属阳离子被注入于上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的氧化物半导体层中。金属阳离子注入在上覆于所述衬底的所述源极区域及所述漏极区域的所述氧化物半导体层中形成经掺杂n型氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN104769666B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380058438.9
申请日：2013-11-04
Applicant: 追踪有限公司
IPC: G09G3/34
CPC classification number: H04N7/18 , G09G3/3466 , G09G2320/0242 , G09G2320/028 , G09G2320/0666 , G09G2320/068 , G09G2360/141 , G09G2360/144
Abstract: 本发明提供与机电系统显示装置相关的系统、方法和设备。在一个方面中，一种设备包含显示组合件、传感器和处理器。所述显示组合件可包含机电系统显示装置阵列。所述传感器可经配置以提供信号，所述信号指示相对于垂直于所述显示组合件的线的照明角度、观看角度或两者。所述处理器可经配置以：从所述传感器接收所述信号；确定所述照明角度和/或观看角度；及处理图像数据以补偿所述所确定的照明角度和/或观看角度。在一个实施方案中，处理所述图像数据以补偿从所述机电系统显示装置中的至少一者反射的光的波长的移位，所述移位将由于非正交照明角度和/或观看角度而发生。
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公开(公告)号：CN107112198B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201580069315.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 追踪有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本文中提供通过原子层沉积ALD来沉积p型金属氧化物薄膜的方法。还提供p型金属氧化物薄膜和包含p型金属氧化物沟道的TFT。在一些实施方案中，所述p型金属氧化物薄膜具有小于1019/cm3的金属和氧空位缺陷密度。所述p型金属氧化物薄膜可贯穿所述薄膜的整体厚度为电活性的。
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公开(公告)号：CN104755990B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380056326.X
申请日：2013-10-24
Applicant: 追踪有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G09G5/02 , F21V7/04 , G02B26/001 , G02B26/0841
Abstract: 本发明提供用于包含可移动吸收体组合件以及可移动反射层的模拟或多状态机电系统显示装置的系统、方法及设备。在一个方面中，机电系统显示装置可包含可移动反射体组合件及可移动吸收体组合件。所述吸收体组合件可安置于所述反射体组合件与衬底之间。当所述反射体组合件处于反射体白色/黑色位置中时，所述吸收体组合件可经配置以移动到靠近所述反射体组合件且界定第一间隙的吸收体白色状态位置。当所述反射体组合件处于所述反射体白色/黑色位置中时，所述吸收体组合件可经配置以移动到更接近于所述衬底而界定第二间隙的闭合位置。当所述吸收体组合件处于所述闭合位置中时，所述反射体组合件可经配置以从所述反射体白色/黑色位置移动以增加所述第二间隙的高度。
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公开(公告)号：CN107210320B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201680007675.6
申请日：2016-01-29
Applicant: 追踪有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G09G3/20 , G09G3/3466 , G09G2300/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/0843 , H01L29/0895 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/66969 , H01L29/7391 , H01L29/7848 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种包含p‑n异质结结构的薄膜晶体管TFT。p‑n异质结结构可包含窄带隙材料与宽带隙材料之间的结。可为氧化物、氮化物、硒化物或硫化物的所述窄带隙材料为所述TFT的有源沟道材料，且可提供相对较高的载流子迁移率。所述异质结结构促进能带间穿隧及TFT断开电流的抑制。在各种实施方案中，所述TFT可形成于柔性衬底上且具有低温处理能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107210320A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007675.6
申请日：2016-01-29
Applicant: 追踪有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G09G3/20 , G09G3/3466 , G09G2300/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/0843 , H01L29/0895 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/66969 , H01L29/7391 , H01L29/7848 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种包含p‑n异质结结构的薄膜晶体管TFT。p‑n异质结结构可包含窄带隙材料与宽带隙材料之间的结。可为氧化物、氮化物、硒化物或硫化物的所述窄带隙材料为所述TFT的有源沟道材料，且可提供相对较高的载流子迁移率。所述异质结结构促进能带间穿隧及TFT断开电流的抑制。在各种实施方案中，所述TFT可形成于柔性衬底上且具有低温处理能力。
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公开(公告)号：CN107112198A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069315.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 追踪有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/66969 , C23C16/407 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , H01L21/02422 , H01L21/02535 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本文中提供通过原子层沉积ALD来沉积p型金属氧化物薄膜的方法。还提供p型金属氧化物薄膜和包含p型金属氧化物沟道的TFT。在一些实施方案中，所述p型金属氧化物薄膜具有小于1019/cm3的金属和氧空位缺陷密度。所述p型金属氧化物薄膜可贯穿所述薄膜的整体厚度为电活性的。
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公开(公告)号：CN106662681A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580028188.3
申请日：2015-05-08
Applicant: 追踪有限公司
CPC classification number: G02B26/001 , G02B5/003 , G02B5/208 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/78633
Abstract: 本发明揭示一种显示器组合件，其包含安置于第一衬底与第二衬底之间的显示器元件阵列，所述显示器元件阵列包含一或多个薄膜晶体管TFT。黑色掩模布置安置于所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述黑色掩模布置经配置以防止进入所述显示器组合件的光到达所述TFT。
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公开(公告)号：CN104246577B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380018473.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 追踪有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/001
Abstract: 一种显示设备可包含多状态IMOD，例如模拟IMOD AIMOD、3状态IMOD(例如具有白色状态、黑色状态和一个彩色状态)或5状态IMOD(例如具有白色状态、黑色状态和三个彩色状态)。所述多状态IMOD可包含可移动反射层和吸收器堆叠。所述吸收器堆叠可包含：第一吸收器层，其具有第一吸收系数和在第一波长下的第一吸收峰；第二吸收器层，其具有第二吸收系数和在第二波长下的第二吸收峰；以及第三吸收器层，其具有第三吸收系数和在第三波长下的第三吸收峰。所述第一、第二和第三吸收层可具有在每一相邻吸收器层的吸收峰的中心处下降到接近零的吸收水平。
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公开(公告)号：CN105190403B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480012940.0
申请日：2014-02-19
Applicant: 追踪有限公司
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B26/001 , G09G3/2003 , G09G3/3466 , G09G2310/0278
Abstract: 本发明提供用于制作和控制单镜干涉式调制器IMOD的系统、方法和设备，其包含编码于计算机存储媒体上的计算机程序，所述单镜干涉式调制器可为多状态IMOD或模拟IMOD。在一个方面中，IMOD的可移动反射体堆叠或吸收体堆叠可包含至少一个突出部，所述至少一个突出部经配置以在所述可移动反射体堆叠移动接近所述吸收体堆叠时致使所述可移动反射体堆叠相对于吸收体层倾斜。所述突出部可经配置以在所述IMOD处于白色状态时导致色彩平均。所述吸收体堆叠可包含吸收体层，所述吸收体层具有在红色波长处的较低消光系数值和在蓝色波长处的较高消光系数值。
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