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公开(公告)号：CN101527199B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910130724.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/228 , H01G4/248 , H01G4/33 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H05K1/112 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/10674
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置和电路。该电容器装置包括第一电极和第一电极下方并与其分开的第二电极，其中至少有一个第一电极或第二电极包括多个导电台阶部分，该多个导电台阶部分具有不同的高度。该电容器还包括第一电极和第二电极之间的绝缘材料区域；和形成于第一电极和第二电极上的至少一个槽。
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公开(公告)号：CN101295580B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810003421.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/14 , H01G4/20 , H01G4/206 , H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09672 , H05K2201/2036 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
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公开(公告)号：CN101527198A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126781.8
申请日：2009-02-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01G4/005 , H01G4/228 , H01L2224/16225 , H05K1/0231 , H05K1/0298 , H05K1/112 , H05K1/162 , H05K3/429 , H05K2201/09309 , H05K2201/09672 , H05K2201/09845 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明提供一种电容模块。该电容模块包括：包括第一电极和第二电极的第一电容器，第一电极和第二电极中的一个连接到至少一个第一导电通路并且第一电极和第二电极中的另一个连接到至少一个第二导电通路。该电容模块还具有与该第一电容器分开的第二电容器，该第二电容器具有第三电极和第四电极，该第三电极和第四电极中的一个连接到该至少一个第一导电通路并且该第三电极和第四电极中的另一个连接到该至少一个第二导电通路。而且，该电容模块包括通过该至少一个第一导电通路之一电连接到具有第一极性的第一面的第一导电面，和通过该至少一个第二导电通路之一电连接到具有与第一极性相反的第二极性的第二面的第二导电面。
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公开(公告)号：CN101345131A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200710136038.1
申请日：2007-07-13
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种指插状电容器，该指插状电容器包含一第一指状电极结构，具有一第一电极及由前述第一电极延伸复数个第一延伸电极，且前述复数个第一延伸电极是排列设置；以及第二指状电极结构，具有一第二电极及由前述第二电极延伸复数个第二延伸电极，且前述第二延伸电极是排列设置，而前述第二指状电极结构交互穿插于前述第一指状电极结构；其中两相邻的前述第一延伸电极及第二延伸电极延伸至少一第一耦合电极，且前述至少一第一耦合电极置于前述第一延伸电极及第二延伸电极之间。本发明的指插状电容器，可依基板绕曲方向而调整耦合电极的数目及形状，进而达到电容特性更稳定且具有较少电气特性变异的功效。
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公开(公告)号：CN102024565A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910173551.7
申请日：2009-09-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种电容结构，其包括：第一电极层；第一介电层，设于该第一电极层上；以及第二电极层，设于第一介电层上，其中第一电极层与第二电极层至少其一具有凹凸结构，使第一电极层与第二电极层之间具有至少两种不同距离，形成至少两组电容值的并联效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1937884B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610127271.9
申请日：2006-09-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L23/50 , H01G4/38 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01079 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K2201/09309 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明提供一种在电路板内的埋入式电容装置，在其上具有集成电路。该电路板在该集成电路的下方具有共享耦合区域。该埋入式电容装置包括第一电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第一终端组，而第二电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第二终端组。该第一电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第一终端组。类似地，该第二电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第二终端组。
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公开(公告)号：CN101458994A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810184389.4
申请日：2008-12-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01G4/35 , H01G4/38 , H01L23/488 , H01L23/498 , H05K1/16 , H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板。阶梯式电容结构至少有一层导体层为阶梯式结构。导孔会贯穿此阶梯式电容的导体层。所以，当有不同频率的电流流过此导孔时，会引发不同的电流回流路径，导致不同电感效应。如此，可在单一平板电容结构达成阶层式去耦合电容的效果。
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公开(公告)号：CN101026151A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610007882.X
申请日：2006-02-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种具内藏式电容结构的芯片封装体，其包括集成电路元件、电容元件、封装架体以及封装胶体。电容元件设置于集成电路元件上。电容元件包括第一金属片、第二金属片以及介电层，其中介电层设置于第一金属片与第二金属片之间。封装架体设置于第二金属片的远离介电层的表面上。第一金属片与封装架体电连接、第二金属片与封装架体电连接、集成电路元件与封装架体电连接、集成电路元件与第一金属片电连接以及集成电路元件与第二金属片电连接。封装胶体设置于封装架体上，以固定集成电路元件、电容元件以及封装架体。
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公开(公告)号：CN101017185A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003444.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种内藏电容组件的测试方法及其测试系统，用来测定基板架构中的内藏电容性组件的电性规格，以避免不符规格的基板结构进入后续制作流程。其通过测量内藏电容组件的几何尺寸，并从模型数据库中取得电气参数与几何尺寸的关系数值及标准电气参数，据此来计算出内藏电容组件的电气参数，再通过比较标准电气参数和电气参数来得到一误差值，并借助此误差值确定基板结构是否符合所设定的电性规格。
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公开(公告)号：CN101458994B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810184389.4
申请日：2008-12-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01G4/35 , H01G4/38 , H01L23/488 , H01L23/498 , H05K1/16 , H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板。阶梯式电容结构至少有一层导体层为阶梯式结构。导孔会贯穿此阶梯式电容的导体层。所以，当有不同频率的电流流过此导孔时，会引发不同的电流回流路径，导致不同电感效应。如此，可在单一平板电容结构达成阶层式去耦合电容的效果。
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