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公开(公告)号：CN103167788B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201110445997.8
申请日：2011-12-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明的一实施例，提供一种电磁波屏蔽复合膜，包括：基材；多孔金属层，形成于该基材上；以及树脂组合物，填入该多孔金属层。本发明另提供一种具有该复合膜的柔性印刷电路板。
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公开(公告)号：CN102898645A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110275376.X
申请日：2011-09-16
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C08G73/10
CPC classification number: C08G73/10 , C03C17/253 , C03C2218/34 , C08G73/101 , C08G73/1017 , C08G73/1039 , C08G73/1046 , C08G73/1064 , C08G73/1075 , C08G73/1078 , C08L79/08
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺共聚物，具有下列化学式(I)或(II)。在化学式(I)或(II)中，B为脂环族或芳香族，A为芳香族，R为氢或苯基，以及m、n为20～50。本发明另提供一种图案化金属氧化物层的制造方法。
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公开(公告)号：CN102115317B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910261885.X
申请日：2009-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种高介电材料，包括(a)0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；(b)58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及(c)20至41重量份的有机树脂。上述高介电材料的介电常数大于100，在适当操作电压下其绝缘电阻大于1MΩ，漏电流小于50毫安，极适于作为埋入式电容性电路板的介电材料。
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公开(公告)号：CN102555389A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010614965.1
申请日：2010-12-30
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: B32B15/08 , B32B7/02 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B2262/106 , B32B2264/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/302 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2457/00 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺薄膜层合物及包含其的金属层压板。该聚酰亚胺薄膜层合物包含第一聚酰亚胺层，其中该第一聚酰亚胺层的热传导系数为0.2-0.9W/m.K，并且绝缘破坏强度不小于3KV；第二聚酰亚胺层，形成于该第一聚酰亚胺层之上，其中该第二聚酰亚胺层的热传导系数大于1W/m.K；以及，第三聚酰亚胺层，形成于该第二聚酰亚胺层之上，其中该第三聚酰亚胺层的热传导系数为0.2-0.9W/m.K，并且绝缘破坏强度不小于3KV。
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公开(公告)号：CN102115317A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910261885.X
申请日：2009-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种高介电材料，包括(a)0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；(b)58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及(c)20至41重量份的有机树脂。上述高介电材料的介电常数大于100，在适当操作电压下其绝缘电阻大于1MΩ，漏电流小于50毫安，极适于作为埋入式电容性电路板的介电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101295580A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810003421.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/14 , H01G4/20 , H01G4/206 , H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09672 , H05K2201/2036 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
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公开(公告)号：CN101225184A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710000786.7
申请日：2007-01-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C08J7/06 , C08F220/32
Abstract: 本发明揭示一种用以改善基板的表面能的树脂组成物，使基板表面可以容易地印刷或涂布各种组件材料的浆料或油墨。该树脂组成物包括：(1)一种或一种以上的反应性环氧压克力寡聚物；(2)官能基数目≥1的甲基压克力或压克力单体组成，其中至少有一种为亲水性单体；(3)至少两种或两种以上光起始剂的混合物；以及(4)一有机溶剂，其沸点为40～110℃。另外，可添加适当的环氧树脂及柔韧剂等，以调整柔软性。该树脂组成物可藉由涂布技术在基材上形成一层恰当表面能的薄层，该树脂材料层具备足够柔软性、耐热性、耐溶剂性、低收缩及低翘曲等特性。
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公开(公告)号：CN101458994B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810184389.4
申请日：2008-12-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01G4/35 , H01G4/38 , H01L23/488 , H01L23/498 , H05K1/16 , H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式电容结构、其制造方法、及应用其的基板。阶梯式电容结构至少有一层导体层为阶梯式结构。导孔会贯穿此阶梯式电容的导体层。所以，当有不同频率的电流流过此导孔时，会引发不同的电流回流路径，导致不同电感效应。如此，可在单一平板电容结构达成阶层式去耦合电容的效果。
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公开(公告)号：CN102115569A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910266098.4
申请日：2009-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种介电材料组合物，包括(a)1至90重量份的聚丁二烯，其支链具有顺丁烯二酸酐，其末端具有羧基、羟基、或环氧基，且其重均分子量介于1200至15000之间；(b)5至90重量份的断链重排的聚苯醚，其重均分子量介于2000至8000之间；(c)1至30重量份的双马来酰亚胺；以及(d)1至30重量份的环氧树脂。上述具有优异电气特性的聚丁二烯可改性聚苯醚，并利用双马来酰亚胺提高树脂交联密度，大幅提高耐热性及Tg，此外，藉由不同比例的PB/PPE/BMI可形成半互穿结构，可得到具有更高Tg、低介电常数、低损耗因子，且耐溶剂性与耐热性皆优良的介电材料。
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公开(公告)号：CN102020849A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910178604.4
申请日：2009-09-22
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: C08L79/08 , C08K5/101 , C08K5/3445 , C08K5/3432 , C08G73/10 , B32B15/08
Abstract: 本发明的聚酰胺酸树脂组合物含有下列三种添加剂：酯酚系化合物；咪唑系化合物；以及非咪唑系化合物的杂环芳香胺系化合物。上述添加剂能改善常规聚酰胺酸树脂组合物需高温(＞350℃)及长时间(＞60分钟)的环化制程，且所形成的聚酰亚胺树脂层与金属箔具有极佳的粘合强度、高平坦性，以及良好的电气性质。
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