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公开(公告)号：CN116321817A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310377521.8
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所 , 电子科技大学
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种高叠层精度LTCC电路基板的制作方法，包括以下步骤：在叠层工序中，设置平面载台用于放置隔离膜和生瓷片，该载台放置于绝缘台面上；使用胶带将隔离膜固定在载台上，将第一张生瓷片的瓷面朝下与隔离膜对位后，利用静电发生器产生的静电将生瓷片吸附于隔离膜上；去掉生瓷片的背膜，此时生瓷片依靠静电吸附抑制形变，随后将其余生瓷片按照同样方法依次产生静电、对位、去除背膜，完成叠层；将胶带撕除，对堆叠完成的多层电路生瓷坯体侧壁进行点胶固定；使用真空包封袋将生瓷堆叠体及隔离膜包封后进行热压，通过共烧工艺完成LTCC电路基板的共烧处理，实现LTCC电路基板高叠层精度和提高LTCC电路基板的性能。
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公开(公告)号：CN116403898A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310376595.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安空间无线电技术研究所 , 电子科技大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/66 , H01Q21/00 , H01Q13/02
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种以激光辅助刻蚀绝缘层介质制作深硅刻蚀的方法及应用，用HF酸、丙酮、无水乙醇依次对Si片进行清洗，去除表面自然氧化的氧化层以及其他的无机物；在待刻蚀的Si基板上，通过化学气相沉积工艺沉积一层绝缘层介质作为硬掩膜；将沉积完绝缘层介质的Si片表面进行高温氧化处理；利用激光刻蚀工艺在Si片表面刻出图形；将刻完图形的Si片进行标准的BOSCH干法刻蚀工艺，直到刻穿。本发明采用具有与Si高刻蚀选择比的绝缘层介质作为硬掩膜，相比于常规的光刻胶掩膜，具有更好的通孔形貌和质量；采用激光辅助刻蚀绝缘层介质，相比常规的深硅刻蚀工艺，工艺步骤少、效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN119629883A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411591338.9
申请日：2024-11-08
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明提供了一种防止助焊剂外溢的错层分布微波接地孔结构，该结构将传统的直通式接地孔改为错层分布式接地孔。本发明通过将直通式接地孔改为错位孔接地孔，切断毛细效应的路径，阻止助焊剂外溢现象。同时不影响器件的散热特性和接地特性，避免微波器件损坏风险，提高宇航产品的可靠性，提高了产品的批量生产成品率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109543239B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201811270751.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络技术的LTCC收缩率预判方法，通过正交试验，确定收缩率的各影响因素；将各影响因素作为结构参数，对每层LTCC建立影响因素列表；设置神经网络，根据生产线历史数据，训练神经网络，获得收缩率预测模型；利用收缩率预测模型预测LTCC产品的收缩率。本发明针对不同LTCC产品在投产前无法精确获知其收缩率的问题，从LTCC产品设计和工艺出发，确认了影响收缩率的因素，并使用神经网络技术建立了影响因素和收缩率之间的数学模型，实现了LTCC产品收缩率的精确预估。
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公开(公告)号：CN109543239A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811270751.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络技术的LTCC收缩率预判方法，通过正交试验，确定收缩率的各影响因素；将各影响因素作为结构参数，对每层LTCC建立影响因素列表；设置神经网络，根据生产线历史数据，训练神经网络，获得收缩率预测模型；利用收缩率预测模型预测LTCC产品的收缩率。本发明针对不同LTCC产品在投产前无法精确获知其收缩率的问题，从LTCC产品设计和工艺出发，确认了影响收缩率的因素，并使用神经网络技术建立了影响因素和收缩率之间的数学模型，实现了LTCC产品收缩率的精确预估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115360109A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210901152.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明公开了多用途多层低温金金键合工装，定位槽块中设有基板定位槽，各待键合基板利用定位销固定，面积较大的压块二将压强传递至待键合基板上。该工装具有压强放大功能。本发明还公开了多用途多层低温金金键合方法，首先在待键合基板上形成高精度通孔及定位孔，并在表面制备均匀性好的键合用金属膜层。将待键合基板按键合顺序依次固定在工装中，通过等静压设备施加温度及压力，完成键合。本发明显著降低键合温度，为多种材质的基板之间的紧密键合提供了可靠、便利的途径，且基板键合层数不受限制，特别是为带内埋芯片基板的键合提供了一种有效的方法，满足了内埋芯片对于环境温度的使用要求。
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公开(公告)号：CN102723543A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210223833.5
申请日：2012-07-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明涉及六边形谐振腔基片集成波导滤波器，包含了介质基片及分别位于介质基片上表面和下表面的上表面金属铜和下表面金属铜；所述金属化通孔阵列后形成依次连接的呈正六边形的第一六边形谐振腔、第二六边形谐振腔和第三六边形谐振腔；所述第一六边形谐振腔与第三六边形谐振腔以第二六边形谐振腔的中心轴镜像对称但不相邻；第一六边形谐振腔的右上侧边与第二六边形谐振腔的左下侧边重合并设有第一感性耦合窗；第二六边形谐振腔的右下侧边与第三六边形谐振腔的左上侧边重合并设有第二感性耦合窗；在第一六边形谐振腔的左下侧边设有共面波导输入端，在第三六边形谐振腔的右下侧边设有共面波导输出端。
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公开(公告)号：CN102723543B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210223833.5
申请日：2012-07-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明涉及六边形谐振腔基片集成波导滤波器，包含了介质基片及分别位于介质基片上表面和下表面的上表面金属铜和下表面金属铜；所述金属化通孔阵列后形成依次连接的呈正六边形的第一六边形谐振腔、第二六边形谐振腔和第三六边形谐振腔；所述第一六边形谐振腔与第三六边形谐振腔以第二六边形谐振腔的中心轴镜像对称但不相邻；第一六边形谐振腔的右上侧边与第二六边形谐振腔的左下侧边重合并设有第一感性耦合窗；第二六边形谐振腔的右下侧边与第三六边形谐振腔的左上侧边重合并设有第二感性耦合窗；在第一六边形谐振腔的左下侧边设有共面波导输入端，在第三六边形谐振腔的右下侧边设有共面波导输出端。
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公开(公告)号：CN103427138A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310355920.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/205
Abstract: 本发明公开了一种选择性高且损耗低、体积小的多层六边形基片集成波导滤波器。该滤波器包括依次层叠设置第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板、第三金属层，所述第一介质基板上设置有第一谐振腔和第四谐振腔，所述第二介质基板上设置有第二谐振腔和第三谐振腔，在第二介质基板上设置有“2”字形混合耦合槽，所述“2”字形混合耦合槽位于第二谐振腔与第三谐振腔之间。该滤波器可以增加一个额外传输零点，因此，无需增加过多的滤波器的级数，便可以提高滤波器的带外选择性，且该传输零点位置可以通过调整电耦合和磁耦合系数的大小进行灵活控制，同时，该滤波器的体积小、损耗低，适合在微波毫米波技术领域推广应用。
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公开(公告)号：CN103413998A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310345042.4
申请日：2013-08-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种选择性高且损耗低、体积小的单腔双模六边形基片集成波导滤波器。该滤波器包括介质基板、上表面金属层、下表面金属层，所述介质基板上设置有贯穿于介质基板的金属化通孔阵列，所述金属化通孔阵列与上表面金属层、下表面金属层共同围成一个双模六边形谐振腔，在上表面金属层上设置有输入端与输出端，所述输入端、输出端的轴线与双模六边形谐振腔中心轴线相互平行且不重合，可以激发谐振腔的TM11左倾和右倾两个谐振模式，能够引入一个传输零点和两个极点，因此，无需增加滤波器的级数，便可以提高滤波器的带外选择性，同时，也减小了滤波器体积、降低了损耗，适合在微波毫米波技术领域推广应用。
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