公开(公告)号：CN119629883A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411591338.9

申请日：2024-11-08

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 苏云 ,  徐辉 ,  李正纲 ,  徐美娟 ,  李巧 ,  王晶渊 ,  宋茜 ,  张博超

IPC: H05K3/34

Abstract: 本发明提供了一种防止助焊剂外溢的错层分布微波接地孔结构，该结构将传统的直通式接地孔改为错层分布式接地孔。本发明通过将直通式接地孔改为错位孔接地孔，切断毛细效应的路径，阻止助焊剂外溢现象。同时不影响器件的散热特性和接地特性，避免微波器件损坏风险，提高宇航产品的可靠性，提高了产品的批量生产成品率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN109543239B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201811270751.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 杨士成 ,  姜威 ,  徐美娟 ,  石伟 ,  张婷 ,  白浩 ,  闫淑霞

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08 ,  G01N22/00

Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络技术的LTCC收缩率预判方法，通过正交试验，确定收缩率的各影响因素；将各影响因素作为结构参数，对每层LTCC建立影响因素列表；设置神经网络，根据生产线历史数据，训练神经网络，获得收缩率预测模型；利用收缩率预测模型预测LTCC产品的收缩率。本发明针对不同LTCC产品在投产前无法精确获知其收缩率的问题，从LTCC产品设计和工艺出发，确认了影响收缩率的因素，并使用神经网络技术建立了影响因素和收缩率之间的数学模型，实现了LTCC产品收缩率的精确预估。

公开(公告)号：CN109543239A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811270751.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 杨士成 ,  姜威 ,  徐美娟 ,  石伟 ,  张婷 ,  白浩 ,  闫淑霞

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G01N22/00

Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络技术的LTCC收缩率预判方法，通过正交试验，确定收缩率的各影响因素；将各影响因素作为结构参数，对每层LTCC建立影响因素列表；设置神经网络，根据生产线历史数据，训练神经网络，获得收缩率预测模型；利用收缩率预测模型预测LTCC产品的收缩率。本发明针对不同LTCC产品在投产前无法精确获知其收缩率的问题，从LTCC产品设计和工艺出发，确认了影响收缩率的因素，并使用神经网络技术建立了影响因素和收缩率之间的数学模型，实现了LTCC产品收缩率的精确预估。

公开(公告)号：CN116321817A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310377521.8

申请日：2023-04-11

Applicant: 西安空间无线电技术研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 李姗泽 ,  林先其 ,  王平 ,  苏一洪 ,  杨士成 ,  徐美娟 ,  王婷婷 ,  贾旭洲 ,  曲媛

IPC: H05K3/46

Abstract: 本发明公开了一种高叠层精度LTCC电路基板的制作方法，包括以下步骤：在叠层工序中，设置平面载台用于放置隔离膜和生瓷片，该载台放置于绝缘台面上；使用胶带将隔离膜固定在载台上，将第一张生瓷片的瓷面朝下与隔离膜对位后，利用静电发生器产生的静电将生瓷片吸附于隔离膜上；去掉生瓷片的背膜，此时生瓷片依靠静电吸附抑制形变，随后将其余生瓷片按照同样方法依次产生静电、对位、去除背膜，完成叠层；将胶带撕除，对堆叠完成的多层电路生瓷坯体侧壁进行点胶固定；使用真空包封袋将生瓷堆叠体及隔离膜包封后进行热压，通过共烧工艺完成LTCC电路基板的共烧处理，实现LTCC电路基板高叠层精度和提高LTCC电路基板的性能。

公开(公告)号：CN116403898A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310376595.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 西安空间无线电技术研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 杨士成 ,  苏一洪 ,  王婷婷 ,  林先其 ,  李姗泽 ,  徐美娟 ,  王平 ,  王当坡 ,  贾旭洲 ,  王峰 ,  张婷 ,  任联锋 ,  姜威

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/66 ,  H01Q21/00 ,  H01Q13/02

Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种以激光辅助刻蚀绝缘层介质制作深硅刻蚀的方法及应用，用HF酸、丙酮、无水乙醇依次对Si片进行清洗，去除表面自然氧化的氧化层以及其他的无机物；在待刻蚀的Si基板上，通过化学气相沉积工艺沉积一层绝缘层介质作为硬掩膜；将沉积完绝缘层介质的Si片表面进行高温氧化处理；利用激光刻蚀工艺在Si片表面刻出图形；将刻完图形的Si片进行标准的BOSCH干法刻蚀工艺，直到刻穿。本发明采用具有与Si高刻蚀选择比的绝缘层介质作为硬掩膜，相比于常规的光刻胶掩膜，具有更好的通孔形貌和质量；采用激光辅助刻蚀绝缘层介质，相比常规的深硅刻蚀工艺，工艺步骤少、效率高、成本低。

公开(公告)号：CN115360109A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210901152.3

申请日：2022-07-28

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 徐美娟 ,  杨士成 ,  王平 ,  夏维娟 ,  李姗泽 ,  任联锋 ,  贾旭洲

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明公开了多用途多层低温金金键合工装，定位槽块中设有基板定位槽，各待键合基板利用定位销固定，面积较大的压块二将压强传递至待键合基板上。该工装具有压强放大功能。本发明还公开了多用途多层低温金金键合方法，首先在待键合基板上形成高精度通孔及定位孔，并在表面制备均匀性好的键合用金属膜层。将待键合基板按键合顺序依次固定在工装中，通过等静压设备施加温度及压力，完成键合。本发明显著降低键合温度，为多种材质的基板之间的紧密键合提供了可靠、便利的途径，且基板键合层数不受限制，特别是为带内埋芯片基板的键合提供了一种有效的方法，满足了内埋芯片对于环境温度的使用要求。