-
公开(公告)号：CN115542999A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211042504.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种单粒子瞬态加固LDO设计方法，属于CMOS集成电路空间单粒子效应防护技术领域。该方法通过使用双指数电流源模型，定位LDO电路中单粒子瞬态敏感节点分别为环路主级点和带隙基准源电路中负反馈放大器正向输入点。针对LDO核心电路，增加主级点电路模块的支路电流；针对LDO的带隙基本源电路，调整基准电路中的左右两侧bjt管比例为1:2，并设计模拟信号双路冗余电路结构实现加固。提高了LDO在空间辐照环境下的可靠性。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
