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公开(公告)号：CN119835963A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411916529.8
申请日：2024-12-24
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种降低硅基氮化镓材料射频损耗的外延结构及其制备方法，外延结构包括图形化衬底、叠加于图形化衬底设有的多个间隔排列的沟槽内的扩散阻挡层、叠加于图形化衬底上的AlN层、叠加于AlN层之上的成核层、叠加于成核层之上的缓冲层和叠加于缓冲层之上的GaN层。其中，扩散阻挡层的厚度小于沟槽的深度；图形化衬底的材料为Si；AlN层和扩散阻挡层之间设有空隙。由于AlN层和扩散阻挡层之间形成了足够的空隙来释放应力，且AlN层和图形化衬底的接触面积较少，从而降低了器件的射频损耗，提高了外延结构的质量。
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公开(公告)号：CN117293024A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311320412.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/3205 , C30B29/40 , C30B25/18 , C23C16/06
Abstract: 本发明涉及半导体物理学技术领域，且公开了一种基于Si基GaN材料结构的高性能半导体衬底片及其使用方法，包括薄膜层，所述薄膜层的底表面设置有金属层，所述金属层的底表面设置有导电聚合物层。该基于Si基GaN材料结构的高性能半导体衬底片及其使用方法，通过设置导电聚合物层，其聚苯胺(PANI)材料是柔软和可塑性材料，可以根据需要进行弯曲、拉伸或形状变换，金属层和导电聚合物层具有较低的热膨胀系数，金属层和导电聚合物层具有较低的热膨胀系数，并且具备一定的柔韧性，可以在衬底片和其他材料之间起到缓冲作用，吸收和缩减由于热膨胀引起的应力，从而减轻衬底片的变形和应力集中，通过优异的导热性，可以减少热应力的产生。
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公开(公告)号：CN116845111A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310822885.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；P‑GaN双终端层，设置于势垒层上除阴极位置区域和阳极位置区域以外区域；P‑GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端，第一区域为P‑GaN双终端层靠近阳极位置区域的端部中的部分区域，第二区域为除第一区域以外的区域；第二终端为对第二区域的P‑GaN材料进行等离子体处理后得到；阴电极，设置于势垒层上的阴极位置区域；阳电极，设置于势垒层上的阳极位置区域，并与第一终端和第二终端均电接触。本发明中的器件，正向工作时电流密度较高、开启电压较低，反向工作时漏电电流较小、击穿电压较高。
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公开(公告)号：CN116426898A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310422945.1
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 常娟雄 , 王一 , 杨林安 , 黄永 , 卢灏 , 陈兴 , 吴勇 , 王东 , 韩超 , 陈财 , 龚子刚 , 万坤 , 董栩婷 , 邵语嫣 , 陆俊 , 薛荣宇 , 何祺伟 , 解靖飞 , 王亦飞 , 张畅
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。
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公开(公告)号：CN116779713A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310751771.3
申请日：2023-06-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/111 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。本发明中的光电探测器，暗电流较小，探测性能较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116722850A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310585892.5
申请日：2023-05-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种功率管栅极驱动装置及器件，其中的功率管栅极驱动装置，包括：驱动模块，输出端与功率管的栅极相连接，用以输出驱动电压至功率管的栅极控制功率管的开启；感温保护模块，包括温度感应电路和过温保护电路，温度感应电路用于感应功率管的运行温度并输出对应的感应电压，过温保护电路用于比较感应电压和预设基准电压，并在感应电压低于预设基准电压时输出保护电压。本发明中的驱动装置，能够实时监测功率管的温度，及时发现过热，防止功率管过热造成功率管所在的整个电路系统被破坏。
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公开(公告)号：CN117169672A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311058110.9
申请日：2023-08-21
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了氮化镓器件工作性能测试模型构建方法及性能测试方法，其中的氮化镓器件工作性能测试模型构建方法，包括如下步骤：获取氮化镓器件样本在不同氮化镓沟道温度下的沟道A1(LO)耦合模的峰位，得到多个数据对；根据多个数据对拟合得到氮化镓器件样本的沟道温度与沟道A1(LO)耦合模的峰位之间的拟合曲线；根据拟合曲线得到氮化镓器件样本的沟道温度与沟道A1(LO)耦合模的峰位之间的第一关系函数；获取氮化镓器件样本的沟道A1(LO)耦合模的频率和沟道载流子之间的第二关系函数，完成测试模型的构建。通过本发明中的方法构建得到的模型，能够得到较为准确的氮化镓器件工作状态下的沟道温度数据和沟道载流子浓度。
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公开(公告)号：CN116084018A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310106414.1
申请日：2023-02-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。
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公开(公告)号：CN117613120A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311514753.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。
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公开(公告)号：CN115900996A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310141937.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的温度测量方法，包括如下步骤：将荧光温敏材料与分散剂混合形成涂布溶液，并将涂布溶液涂敷于待检测器件的有源表面上；给待检测器件施加预设偏压，并获取荧光温敏材料在预设偏压下的荧光强度；根据荧光强度和荧光温敏材料的温敏荧光特性曲线得到待检测器件的有源表面温度；根据有源表面温度得到待检测器件内的空间电荷区处的温度。本发明中的方法，使用范围较广且温度检测精度较高。
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