公开(公告)号：CN116084018A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310106414.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常娟雄 ,  王一 ,  黄永 ,  卢灏 ,  邱慧嫣 ,  程晨言 ,  陈兴 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  董栩婷 ,  邵语嫣 ,  薛荣宇 ,  王东 ,  吴勇 ,  韩超

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长牺牲层；牺牲层内具有形成蜂窝状结构的多个外延孔，外延孔贯穿牺牲层，且外延孔远离衬底的一端的直径小于靠近衬底的一端的直径；在外延孔内以及牺牲层上外延生长氮化镓层。本发明中的方法，能够过滤来自衬底的穿透位错，减小了生长于牺牲层上方的氮化镓层的开裂的可能性，实现高质量氮化镓层的外延生长。

公开(公告)号：CN114388080A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210040132.1

申请日：2022-01-13

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 程晨言 ,  黄永 ,  王宇轩 ,  李梹激 ,  杨旭豪 ,  王霄 ,  许琦辉 ,  常娟雄 ,  刘晓磊 ,  陈财 ,  邵语嫣

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G16C20/30 ,  G16C20/50

Abstract: 本发明公开了一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法，包括下列步骤：步骤一、衬底模型构建，建立衬底材料的超胞模型并优化；步骤二、成膜材料的原子附着位点选择，选取单个成膜材料的原子放在衬底模型表面上，对此模型进行结构优化，得到初始吸附模型及第一次稳定吸附位点；再选择衬底上相邻的重复结构重复上述操作，得到最终吸附模型及第二次稳定吸附位点；步骤三、迁移势垒计算，建立NEB模型，计算这两组吸附模型中的稳定吸附位点间的迁移势垒；步骤四、应用分析，基于上一步得到的迁移势垒和分析得到的影响关系确定一个参数范围进行成膜工艺的调试。本方法以较快的速度确定各种材料成膜所需的温度等参数范围，提高调试和研发效率。

公开(公告)号：CN114217200A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111507585.2

申请日：2021-12-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许琦辉 ,  张金风 ,  单光宝 ,  陈兴 ,  黄永 ,  汪琼 ,  程晨言 ,  王霄 ,  李槟激 ,  杨旭豪 ,  王宇轩 ,  常娟雄 ,  邵语嫣 ,  刘晓磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置，其中的方法包括如下步骤：获取待预测器件各层的厚度和各层的组分；根据各层的厚度和各层的组分确定待预测器件中的异质结界面极化电荷；基于待预测器件的界面和内部电场特性确定待预测器件的静态性能与异质界面极化电荷之间的协同对应关系；获取待预测器件中各沟道顶部界面的势垒高度；根据异质结界面极化电荷、各沟道顶部界面的势垒高度、各层的组分和厚度以及协同对应关系确定待预测器件的静态性能。本发明中的方法，能够实现对N极性(III族氮化物)HEMTs器件结构的2DEG浓度和势垒高度进行计算，并预测2DHG的产生，有助于理解N极性多沟道HEMTs器件原理并指导器件制作。

公开(公告)号：CN114497293A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111643318.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 常娟雄 ,  黄永 ,  汪琼 ,  陈财 ,  刘晓磊 ,  邵语嫣 ,  程晨言 ,  王宇轩 ,  李梹激 ,  许琦辉 ,  王霄 ,  杨旭豪

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/335 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。

公开(公告)号：CN114217200B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202111507585.2

申请日：2021-12-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 许琦辉 ,  张金风 ,  单光宝 ,  陈兴 ,  黄永 ,  汪琼 ,  程晨言 ,  王霄 ,  李槟激 ,  杨旭豪 ,  王宇轩 ,  常娟雄 ,  邵语嫣 ,  刘晓磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置，其中的方法包括如下步骤：获取待预测器件各层的厚度和各层的组分；根据各层的厚度和各层的组分确定待预测器件中的异质结界面极化电荷；基于待预测器件的界面和内部电场特性确定待预测器件的静态性能与异质界面极化电荷之间的协同对应关系；获取待预测器件中各沟道顶部界面的势垒高度；根据异质结界面极化电荷、各沟道顶部界面的势垒高度、各层的组分和厚度以及协同对应关系确定待预测器件的静态性能。本发明中的方法，能够实现对N极性(III族氮化物)HEMTs器件结构的2DEG浓度和势垒高度进行计算，并预测2DHG的产(56)对比文件薛舫时.微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计.中国电子科学研究院学报.2007,(第05期),全文.周玉刚,沈波,刘杰,周慧梅,俞慧强,张荣,施毅,郑有炓.用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷.物理学报.2001,(第09期),全文.王良臣.半导体量子器件物理讲座 第二讲高电子迁移率晶体管(HEMT).物理.2001,(第04期),全文.薛舫时.AlGaN/GaN异质结构中的极化工程.固体电子学研究与进展.2008,(第03期),全文.陈震,刘新宇,吴德馨.双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型.半导体学报.2004,(第07期),全文.薛舫时.GaN HFET的综合设计.固体电子学研究与进展.2009,(第04期),全文.

公开(公告)号：CN115101413A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210573399.7

申请日：2022-05-24

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 邱慧嫣 ,  黄永 ,  常娟雄 ,  程晨言 ,  杨旭豪 ,  王宇轩 ,  王霄 ,  陈财 ,  邵语嫣

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：获取制备基底；制备基底包括衬底层以及依次生长于衬底层上的沟道层和势垒层；在镁源气氛下在制备基底上依次生长AlGaN基体层和GaN量子点，并在完成GaN量子点的生长后，关闭镓源而保持氮源通入预设时间；关闭镁源，在GaN量子点上生长AlGaN掩埋层；多次循环生长AlGaN基体层、GaN量子点和AlGaN掩埋层，并刻蚀形成P‑AlGaN栅极介质层；在势垒层上生长源极和漏极，在P‑AlGaN栅极介质层生长栅极。本发明中的方法，能够提高制备得到的增强型器件的击穿电压，降低其导通电阻。

公开(公告)号：CN113936993A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110996352.7

申请日：2021-08-27

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 汪琼 ,  黄永 ,  程晨言 ,  陈兴 ,  王东 ,  吴勇

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件的制备方法，包括如下步骤：采用化学气相沉积法在衬底上生长氮化铝界面层；其中，化学气相沉积反应室中的铝源和氨气均为脉冲方式通入，且在每一个通入氨气的时间段中，铝源均存在通入和关闭两种状态，在每一个关闭氨气的时间段中，铝源均处于通入状态；在氮化铝界面层上依次生长高阻层、沟道层和势垒层；高阻层为氮化镓层或者铝镓氮层。通过该发明中的方法，能够提高制备得到的氮化铝界面层也即氮化镓器件的质量，且制备效率较高。