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公开(公告)号：CN117169672A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311058110.9
申请日：2023-08-21
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了氮化镓器件工作性能测试模型构建方法及性能测试方法，其中的氮化镓器件工作性能测试模型构建方法，包括如下步骤：获取氮化镓器件样本在不同氮化镓沟道温度下的沟道A1(LO)耦合模的峰位，得到多个数据对；根据多个数据对拟合得到氮化镓器件样本的沟道温度与沟道A1(LO)耦合模的峰位之间的拟合曲线；根据拟合曲线得到氮化镓器件样本的沟道温度与沟道A1(LO)耦合模的峰位之间的第一关系函数；获取氮化镓器件样本的沟道A1(LO)耦合模的频率和沟道载流子之间的第二关系函数，完成测试模型的构建。通过本发明中的方法构建得到的模型，能够得到较为准确的氮化镓器件工作状态下的沟道温度数据和沟道载流子浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117613120A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311514753.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。
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公开(公告)号：CN116426898A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310422945.1
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 常娟雄 , 王一 , 杨林安 , 黄永 , 卢灏 , 陈兴 , 吴勇 , 王东 , 韩超 , 陈财 , 龚子刚 , 万坤 , 董栩婷 , 邵语嫣 , 陆俊 , 薛荣宇 , 何祺伟 , 解靖飞 , 王亦飞 , 张畅
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。
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公开(公告)号：CN116798855A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310751770.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 常娟雄 , 王一 , 黄永 , 杨林安 , 卢灏 , 邵语嫣 , 陈兴 , 吴勇 , 王东 , 陆俊 , 王亦飞 , 台运涛 , 何祺伟 , 张畅 , 解靖飞 , 龚子刚 , 薛荣宇
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。
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公开(公告)号：CN116779713A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310751771.3
申请日：2023-06-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/111 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。本发明中的光电探测器，暗电流较小，探测性能较高。
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公开(公告)号：CN115881840A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310034486.X
申请日：2023-01-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L31/032 , H01L31/118 , H01L31/18 , A61B6/00
Abstract: 本发明公开了一种X射线检测器及放射线检查装置，属于光电探测技术领域，X射线检测器包括：衬底以及设置于所述衬底上的缓冲层；接受光生空穴并传输空穴的电荷传输层；供X射线入射并产生光生电子空穴对的光敏层；由N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层构成的电子传输层，当外加反向偏压的情况下，可在本征半导体内产生雪崩倍增效应，提高探测器的灵敏度，产生较大的光电流，本发明中的器件，通过设置电荷传输层和具有雪崩倍增效应的p‑i‑n结构来提高光生载流子的数量和传输能力，增强了光生电流，解决了现有探测器技术中X射线吸收能力和电荷收集效率低的问题。
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