公开(公告)号：CN116779713A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310751771.3

申请日：2023-06-25

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 董栩婷 ,  张畅 ,  黄永 ,  包军林 ,  王亦飞 ,  卢灏 ,  解靖飞 ,  常娟雄 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  邵语嫣 ,  陈兴 ,  王东 ,  吴勇

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。本发明中的光电探测器，暗电流较小，探测性能较高。

公开(公告)号：CN119834786A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411683952.8

申请日：2024-11-22

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 甘纯钊 ,  尹郁杉 ,  包军林

IPC: H03K17/687 ,  G06F1/30 ,  G06F1/28

Abstract: 本发明涉及含基极电流补偿的热关断电源管理电路，包括：热关断判断模块，以及与热关断判断模块连接的正温系数电流模块；正温系数电流模块，用于向热关断判断模块提供补偿后的正温系数电流；补偿后的正温系数电流跟随正温系数线性变化，并且，补偿后的正温系数电流用于反映与热关断电源管理电路电连接的芯片的工作温度；热关断判断模块用于基于补偿后的正温系数电流，确定芯片的工作温度是否处于第一预设阈值和第二预设阈值构成的温度范围内，并在芯片的工作温度大于第二预设阈值时，关断芯片，以及在芯片的工作温度下降至温度范围内时，重新启动芯片。该电路可以准确判断当前芯片的实际工作温度，降低芯片损毁几率。

公开(公告)号：CN120010613A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510110709.5

申请日：2025-01-23

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 尹郁杉 ,  甘纯钊 ,  包军林

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种基于频率补偿电路的大电流宽电容范围LDO，包括：一级运算放大器用于放大误差信号；二级运算放大器用于对放大的误差信号进行二次放大；驱动电路用于增强二次放大的误差信号的驱动能力；电流输出电路用于根据增强了驱动能力的二次放大的误差信号和输入电压调整输出需求的输出电流；反馈电路用于根据输出电流产生新的反馈电压；一级运算放大器还用于放大新的误差信号；频率补偿电路用于利用多零极点动态补偿支路和电流缓冲补充支路，根据输出电流来调整新的误差信号中多个零极点的位置以抵消次极点的同时拓宽整个单位增益带宽，得到调整的误差信号。本发明在较大的电流输出范围下和较大的负载电容范围下仍然可以获得较大带宽。

公开(公告)号：CN117613120A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311514753.X

申请日：2023-11-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 董栩婷 ,  张畅 ,  黄永 ,  包军林 ,  王一 ,  王亦飞 ,  卢灏 ,  解靖飞 ,  常娟雄 ,  陈财 ,  龚子刚 ,  万坤 ,  邵语嫣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种日盲光电探测器及其制备方法，其中的日盲光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的AlN缓冲层和GaN沟道层；AlGaN势垒层，设置于GaN沟道层上，且AlGaN势垒层和GaN沟道层之间形成二维电子气；AlGaN势垒层覆盖GaN沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域，并在阴极位置区域和阳极位置区域之间的区域形成叉指状结构；阴电极和阳电极，分别设置于阴极位置区域和阳极位置区域的AlGaN势垒层上；一维光子晶体层，设置于叉指状结构的AlGaN势垒层上。本发明中的日盲光电探测器，光生电流较高、响应度较高、暗电流较低，且成本较低。

公开(公告)号：CN113422605A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110763310.9

申请日：2021-07-06

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 吴勇 ,  王致远 ,  刘伟峰 ,  包军林 ,  张丽

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种溢出校准电路、模数转换器及模数转换方法，基于流水线型ADC第一子级和第二子级输出的数字码同时进行溢出判断，并将判断的结果传输到校准输出电路进行校准，在发生下溢出的时候将校准输出电路的输出全部置0，在发生上溢出的时候将校准输出电路的输出全部置1，完成溢出判断，并校准输出。如果存在因误差导致的溢出判断比较器判断结果出错，可以在溢出判断电路和校准输出电路校准判断失误的溢出位，保证电路的正常输出。

公开(公告)号：CN113422605B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202110763310.9

申请日：2021-07-06

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 吴勇 ,  王致远 ,  刘伟峰 ,  包军林 ,  张丽

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种溢出校准电路、模数转换器及模数转换方法，基于流水线型ADC第一子级和第二子级输出的数字码同时进行溢出判断，并将判断的结果传输到校准输出电路进行校准，在发生下溢出的时候将校准输出电路的输出全部置0，在发生上溢出的时候将校准输出电路的输出全部置1，完成溢出判断，并校准输出。如果存在因误差导致的溢出判断比较器判断结果出错，可以在溢出判断电路和校准输出电路校准判断失误的溢出位，保证电路的正常输出。