公开(公告)号：CN118610081A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410762766.7

申请日：2024-06-13

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 饶张飞 ,  秦凯亮 ,  薛栋 ,  金红霞

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆离子注入掺杂标准片制备方法，具体步骤如下：S1对硅衬底注入目标元素离子得到硅晶圆片，对硅晶圆片进行退火，得到退火硅晶圆片；S2对退火硅晶圆片的注入剂量进行横向均匀性评价；S3对退火硅晶圆片采用扩展电阻测量仪进行注入剂量纵向分布评价，并利用硅晶圆片的剖面分析结果对注入剂量纵向分布评价进行补偿校正，得到映射注入剂量纵向分布评价；S4映射注入剂量纵向分布评价满足预设要求，且横向均匀性评价时退火硅晶圆片薄层电阻相对标准偏差小于1％，则该硅晶圆片作为标准片。本发明方法满足硅晶圆离子注入掺杂元素(B、P、As)标准片注入剂量横向均匀，且具有特定预设掺杂浓度和纵向深度分布的高准确性要求。

公开(公告)号：CN119984978A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411386606.3

申请日：2024-09-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 秦凯亮 ,  饶张飞 ,  金红霞 ,  薛栋

IPC: G01N1/28 ,  G01N21/73 ,  G01N27/626

Abstract: 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶圆介电薄膜掺杂浓度标准样片制备方法及定值方法。包括以下步骤：S1、准备两片硅衬底通过PECVD执行沉积步骤，以将缓冲层沉积到硅衬底上；S2、在其中一片硅衬底通过PECVD执行沉积步骤，以将介电薄膜层沉积到缓冲层上；本发明制备方法，可有效避免标准样片杂质如硼和磷与内部或外部的水分反应，解决杂质浓度随着时间的推移而改变问题，从而保持稳定；还能有效改善因退火时介电薄膜出现与磷、硼相关的缺陷以及掺杂剂向硅衬底及外部扩散现象发生；本发明定值方法，可基于研制的标准样片及辅助样片通过ICP/MS实现介电薄膜层B、P掺杂剂含量的精密定值。

公开(公告)号：CN116626359A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310604445.X

申请日：2023-05-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 饶张飞 ,  秦凯亮 ,  薛栋 ,  金红霞

IPC: G01R15/06

Abstract: 本发明提供一种快速上升时间且高电压高阻抗的脉冲分压器，包括依次连接的高压输入端、同轴传输线缆和低压补偿端；所述高压输入端包括至少一个无感电阻Rt″，以及并联于无感电阻Rt″两端的电容Cp，无感电阻Rt″一端接无感电阻Rt′并接接输入端，另一端连接磁珠Zb一端，磁珠Zb另一端分别连接同轴传输线缆和接地的对地电容Cg；所述低压补偿端包括直流调理电路、高频调理电路和低频调理电路，所述直流调理电路用于调节直流衰减比，高频调理电路用于调理纳秒至微秒之间脉冲输入信号的衰减比及输出平坦度，低频调理电路于调理微秒至毫秒之间脉冲输入信号的衰减比及输出平坦度；本申请具有快速上升时间、高电压、高阻抗和校准补偿简单的优点。

公开(公告)号：CN118524638A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410747003.5

申请日：2024-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 薛栋 ,  田帅博 ,  李雪 ,  屈云鹏

IPC: H05K3/34

Abstract: 本发明公开了一种防止表贴元器件再流焊接偏移的装置及方法，属于再流焊接技术领域。包括底层粘覆层，所述底层粘覆层的上表面固定连接有防偏移模具；所述防偏移模具的上表面固定连接有表层薄膜层；所述底层粘覆层的下表面在进行再流焊接时叠放在表贴元器件的上表面；所述底层粘覆层的下表面面积小于表贴元器件的上表面面积。底层粘覆层具有一定的粘覆力，在进行再流焊接时放置在表贴元器件上，使得防偏移模具为表贴元器件提供一定的压力，用以实现防偏移功能。本发明能够实现阻容感元件、SOP、QFP等不同封装类型表贴元器件的再流焊接防偏移功能，可适应设备自动化贴装，可重复循环使用，具有较强的普适性。防偏移模具内部采用中空设计，避免模具吸热过大影响表贴元器件再流焊接质量。