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公开(公告)号：CN111856374B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010879465.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种高速数字示波器带宽校准测试装置及测试方法，属于示波器带宽校准领域。本发明的测试装置，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和三个测试端口；电阻R1的一端连接信号输入端port1，另一端连接电阻R2的一端和电阻R3的一端，电阻R2的另一端连接信号输出端port2，电阻R3的另一端连接信号输出端port3；信号输入端port1用于连接模拟信号源的输出端口，信号输出端port2用于连接功率敏感器的输入端口，信号输出端port3用于连接高速数字示波器。本发明的测试方法，只需调节模拟信号源的信号频率，不需调节模拟信号源的输出功率电平，减小了功率补偿误差，提高了频带宽校准测试的准确度。
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公开(公告)号：CN118610081A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410762766.7
申请日：2024-06-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆离子注入掺杂标准片制备方法，具体步骤如下：S1对硅衬底注入目标元素离子得到硅晶圆片，对硅晶圆片进行退火，得到退火硅晶圆片；S2对退火硅晶圆片的注入剂量进行横向均匀性评价；S3对退火硅晶圆片采用扩展电阻测量仪进行注入剂量纵向分布评价，并利用硅晶圆片的剖面分析结果对注入剂量纵向分布评价进行补偿校正，得到映射注入剂量纵向分布评价；S4映射注入剂量纵向分布评价满足预设要求，且横向均匀性评价时退火硅晶圆片薄层电阻相对标准偏差小于1％，则该硅晶圆片作为标准片。本发明方法满足硅晶圆离子注入掺杂元素(B、P、As)标准片注入剂量横向均匀，且具有特定预设掺杂浓度和纵向深度分布的高准确性要求。
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公开(公告)号：CN111856374A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010879465.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种高速数字示波器带宽校准测试装置及测试方法，属于示波器带宽校准领域。本发明的测试装置，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和三个测试端口；电阻R1的一端连接信号输入端port1，另一端连接电阻R2的一端和电阻R3的一端，电阻R2的另一端连接信号输出端port2，电阻R3的另一端连接信号输出端port3；信号输入端port1用于连接模拟信号源的输出端口，信号输出端port2用于连接功率敏感器的输入端口，信号输出端port3用于连接高速数字示波器。本发明的测试方法，只需调节模拟信号源的信号频率，不需调节模拟信号源的输出功率电平，减小了功率补偿误差，提高了频带宽校准测试的准确度。
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公开(公告)号：CN112881960A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110069987.2
申请日：2021-01-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级计量标准器及其制备方法，属于微纳米二维栅格计量标准器领域。一种晶圆级计量标准器，包括晶圆，晶圆上设有多晶硅薄膜；多晶硅薄膜上设有图形区域，图形区域外围设有一级引导标记；图形区域包括二维栅格标准图形区域和位于其外围的二级引导标记；二维栅格标准图形区域内设有一个或多个标准图形。本发明的晶圆级计量标准器，在使用时具有一级和二级引导标记，能够快速寻找到相应的标准结构，使用方便快捷，能够进行集成电路产线测量设备的在线校准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111693003A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010568534.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法，属于纳米几何量计量标准器制造领域。一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法，在现有电子束光刻制备标准样片的基础上，通过光刻工艺在6寸、8寸或12寸的晶圆上制作与标准样片所对应的槽图形，之后等离子体干法刻蚀对槽图形区域进行刻蚀，刻蚀工艺气体为SF6和C4F8，起到刻蚀、钝化循环交替，其中，SF6用于刻蚀，C4F8用于钝化，配合刻蚀温度和压强，在兼顾刻蚀效率的同时得到垂直且侧壁光滑的高质量槽；然后通过点胶、对准后将标准片嵌合贴装至晶圆上。本发明的制备方法，所得晶圆级纳米尺度计量标准器可满足集成电路产线工艺测量设备的在线校准需求。
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公开(公告)号：CN111580587A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010442604.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种脉宽调制型恒流源电路，包括基准电压发生电路和V/I转换电路，基准电压发生电路包括幅度变换电路、滤波电路、电压放大缓冲电路和并联线性控制电路，PWM控制信号经幅度变换电路后使输出波形在参考电压VREF和0V(地)之间进行切换，幅度变换电路输出的信号经滤波电路后输出为直流电压，直流电压经放大隔离后输出，并为基准电压发生电路输出提供电流驱动。V/I转换电路包括求和运算电路、互补驱动电路、功率放大电路、检测电阻和反馈回路，V/I转换电路采用在放大电路中引入电流负反馈，检测电阻将电流转换为电压通过反馈回路反馈至求和运算电路，实现电压-电流转换。通过控制PWM输入信号，能够实现高分辨力、高精度电流输出。
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公开(公告)号：CN119984978A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411386606.3
申请日：2024-09-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01N1/28 , G01N21/73 , G01N27/626
Abstract: 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶圆介电薄膜掺杂浓度标准样片制备方法及定值方法。包括以下步骤：S1、准备两片硅衬底通过PECVD执行沉积步骤，以将缓冲层沉积到硅衬底上；S2、在其中一片硅衬底通过PECVD执行沉积步骤，以将介电薄膜层沉积到缓冲层上；本发明制备方法，可有效避免标准样片杂质如硼和磷与内部或外部的水分反应，解决杂质浓度随着时间的推移而改变问题，从而保持稳定；还能有效改善因退火时介电薄膜出现与磷、硼相关的缺陷以及掺杂剂向硅衬底及外部扩散现象发生；本发明定值方法，可基于研制的标准样片及辅助样片通过ICP/MS实现介电薄膜层B、P掺杂剂含量的精密定值。
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公开(公告)号：CN116626359A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310604445.X
申请日：2023-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R15/06
Abstract: 本发明提供一种快速上升时间且高电压高阻抗的脉冲分压器，包括依次连接的高压输入端、同轴传输线缆和低压补偿端；所述高压输入端包括至少一个无感电阻Rt″，以及并联于无感电阻Rt″两端的电容Cp，无感电阻Rt″一端接无感电阻Rt′并接接输入端，另一端连接磁珠Zb一端，磁珠Zb另一端分别连接同轴传输线缆和接地的对地电容Cg；所述低压补偿端包括直流调理电路、高频调理电路和低频调理电路，所述直流调理电路用于调节直流衰减比，高频调理电路用于调理纳秒至微秒之间脉冲输入信号的衰减比及输出平坦度，低频调理电路于调理微秒至毫秒之间脉冲输入信号的衰减比及输出平坦度；本申请具有快速上升时间、高电压、高阻抗和校准补偿简单的优点。
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公开(公告)号：CN111580587B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010442604.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种脉宽调制型恒流源电路，包括基准电压发生电路和V/I转换电路，基准电压发生电路包括幅度变换电路、滤波电路、电压放大缓冲电路和并联线性控制电路，PWM控制信号经幅度变换电路后使输出波形在参考电压VREF和0V(地)之间进行切换，幅度变换电路输出的信号经滤波电路后输出为直流电压，直流电压经放大隔离后输出，并为基准电压发生电路输出提供电流驱动。V/I转换电路包括求和运算电路、互补驱动电路、功率放大电路、检测电阻和反馈回路，V/I转换电路采用在放大电路中引入电流负反馈，检测电阻将电流转换为电压通过反馈回路反馈至求和运算电路，实现电压‑电流转换。通过控制PWM输入信号，能够实现高分辨力、高精度电流输出。
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