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公开(公告)号：CN206835065U
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201720318195.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M7/00
Abstract: 本实用新型一种防止单点失效的双冗余译码驱动电路结构，包括第一PMOS晶体管的衬底与源极相连并连接电源电压，漏极与第二PMOS晶体管源极和衬底相连，栅极与第三分压多晶电阻一端相连；第二PMOS晶体管漏极与输出多晶电阻一端相连并与第四PMOS晶体管漏极相连，栅极与第一分压多晶电阻一端相连；第三PMOS晶体管衬底与源极相连并接电源电压，漏极与第四PMOS晶体管源极和衬底相连，栅极与第四分压多晶电阻一端相连；第四PMOS晶体管漏极经输出多晶电阻接地，栅极与第二分压多晶电阻一端相连；第一分压多晶电阻另一端和第二分压多晶电阻另一端相连，并与译码器B输出端相连；第三分压多晶电阻另一端和第四分压多晶电阻另一端相连，并与译码器A输出端相连。
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