一种声表面波高温压力传感器及传感器芯片制备方法

    公开(公告)号:CN117571168A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311592349.4

    申请日:2023-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种声表面波高温压力传感器及传感器芯片制备方法,涉及压力传感器技术领域,包括传感器芯片,从下至上依次为SiC基底、第二SiO2薄膜、AlN压电薄膜、粘附层和第一SiO2薄膜;基底背面刻蚀有压力槽;粘附层上设有声表面波压力谐振器和声表面波温度谐振器,声表面波压力谐振器设置于压力槽正上方,声表面波温度谐振器位于无压力作用的支撑区,声表面波压力谐振器与声表面波温度谐振器之间垂直放置。本发明的声表面波压力谐振器受到温度和压力的双重作用,声表面波温度谐振器仅受到温度作用,通过对两谐振器信号进行差分计算,消除温度对压力检测的影响。基底材料为SiC,其声表面波相速度越高,灵敏度越高。

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