一种基于静电激励电容检测的差分式硅谐振压力传感器

    公开(公告)号:CN116907694A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310889509.5

    申请日:2023-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励电容检测的差分式硅谐振压力传感器,属于微纳传感器技术领域,包括基底层、受拉谐振器和受压谐振器,所述基底层包括压力敏感膜与固定在压力敏感膜上的硅岛;所述受拉谐振器布置在压力敏感膜的受拉区域,所述受压谐振器布置在压力敏感膜的受压区域;所述拉谐振器与受压谐振器通过硅岛与压力敏感膜连接;所述受拉谐振器与受压谐振器结构相同。该压力传感器有效提升传感器的灵敏度,并降低了温度和封装应力对谐振器的影响,从而提高传感器的输出精度。

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