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公开(公告)号：CN105679653A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610052241.X
申请日：2016-01-27
Applicant: 西南科技大学 , 成都特频微电子科技发展有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L21/24
Abstract: 本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF6气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×1018-1020/cm3生长周期长，效率低，近红外光波段光电转换效应非常微弱的问题。在商用太阳能电池衬底芯片表面上激光外延生长含S/Si半导体合金层0.5-3.5μm厚度。在N2气氛中利用脉冲宽度为1-800ns脉冲激光，控制能量密度使太阳能电池表面上含硫的Si膜材料温度达到熔点。大约宽1mm×30mm高的带状ns激光，以50-500μm/s速度对其进行扫描，使其表面形成高浓度硫掺杂的具有多晶结构的n+(s)型硫硅半导体合金层，掺硫浓度为5×1018-1020/cm3。n+(s)合金层与衬底电池的掺P的n(p)型层构成n+(s)/n(p)异质结。
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公开(公告)号：CN103489959B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310398256.8
申请日：2013-09-05
Applicant: 西南科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明为太阳能电池硅片表面掺硫方法，解决现有方法制备的太阳能电池载流子寿命低以及近红外波段的光电转化效率低的问题。包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,将硅片放置于含硫气氛中，利用脉冲宽度在1ns—1000ns的脉冲激光，能量密度控制在仅使硅片表面0.5—2μm厚度内的硅材料温度达到熔点以上汽化点以下，对黑硅表面进行扫描，使硅片表面的黑硅层表面形成高浓度硫掺杂的硫硅合金层，掺硫浓度为1019—1021/cm3或硫硅原子比在0.1%—1%。
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公开(公告)号：CN105206661A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510592397.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 西南科技大学
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/02551 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种微米级S-Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化和退火。本发明制备的半导体合金应用于光伏太阳能电池后，其在1.1-2.5μm的近红外波段的转换效率η可提高到2%以上；该微米级S-Si半导体合金膜环保、具有低的反射率、低的薄层电阻和在1.1-2.5μm的近红外光波段有显著的光电转换效应，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN105669040B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610222193.4
申请日：2016-04-11
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 一种光学损伤元件损伤增长的抑制装置和抑制方法，装置包括三维移动控制台、角度调整台、元件夹具、元件清洗槽、超声清洗槽、暗场成像CCD相机组件、刻蚀围栏制作器、第一平移控制台、第二平移控制台、监控CCD、挡光板、显示控制处理系统和塑料毛细管。暗场成像CCD相机组件包括CCD相机、相机镜头和LED环形光源。显示控制处理系统为计算机。通过先在光学元件上制作刻蚀围栏，然后采用塑料毛细管投递高浓度HF对损伤点进行刻蚀。本发明可以用于对各种尺寸光学元件表面损伤的损伤增长的抑制，以提升其抗激光损伤的能力。
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公开(公告)号：CN104062266B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410271464.6
申请日：2014-06-17
Applicant: 西南科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明涉及一种基于白光频域干涉法测量气体折射率的装置和方法。该测量装置由宽带光源、宽带分束镜、宽带全反镜、两个石英空腔气室和光谱仪等光学元器件组成，由宽带光源发出的光经宽带分束镜分束和宽带反射镜反射后，两次通过石英空腔气室，并经宽带分束镜合束，最终共同进入光谱仪在频率域内发生频域干涉，通过对频域干涉信号的分析，可以精确获得气体的折射率。该方法是一种精度高、无需实时记录或观测的绝对测量方法，具有较大的应用和推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105669040A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610222193.4
申请日：2016-04-11
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 一种光学损伤元件损伤增长的抑制装置和抑制方法，装置包括三维移动控制台、角度调整台、元件夹具、元件清洗槽、超声清洗槽、暗场成像CCD相机组件、刻蚀围栏制作器、第一平移控制台、第二平移控制台、监控CCD、挡光板、显示控制处理系统和塑料毛细管。暗场成像CCD相机组件包括CCD相机、相机镜头和LED环形光源。显示控制处理系统为计算机。通过先在光学元件上制作刻蚀围栏，然后采用塑料毛细管投递高浓度HF对损伤点进行刻蚀。本发明可以用于对各种尺寸光学元件表面损伤的损伤增长的抑制，以提升其抗激光损伤的能力。
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公开(公告)号：CN103489959A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310398256.8
申请日：2013-09-05
Applicant: 西南科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L21/2252
Abstract: 本发明为太阳能电池硅片表面掺硫方法，解决现有方法制备的太阳能电池载流子寿命低以及近红外波段的光电转化效率低的问题。包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,将硅片放置于含硫气氛中，利用脉冲宽度在1ns—1000ns的脉冲激光，能量密度控制在仅使硅片表面0.5—2µm厚度内的硅材料温度达到熔点以上汽化点以下，对黑硅表面进行扫描，使硅片表面的黑硅层表面形成高浓度硫掺杂的硫硅合金层，掺硫浓度为1019—1021/cm3或硫硅原子比在0.1%—1%。
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公开(公告)号：CN104777534B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510117677.8
申请日：2015-03-14
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光刻蚀波导光栅的制备装置及方法，该装置由飞秒激光器、光偏振器、分光镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜、显微物镜、铌酸锂晶体、精密旋转平台、三维电动平移台、光功率计和计算机依次连接而成。本发明解决如何控制激光条件，并能达到使用一个飞秒激光光源、仅一套加工设备来同时实现光波导以及光栅的制备。
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公开(公告)号：CN105679653B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610052241.X
申请日：2016-01-27
Applicant: 西南科技大学 , 成都特频微电子科技发展有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF6气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×1018‑1020/cm3生长周期长，效率低，近红外光波段光电转换效应非常微弱的问题。在商用太阳能电池衬底芯片表面上激光外延生长含S/Si半导体合金层0.5‑3.5µm厚度。在N2气氛中利用脉冲宽度为1‑800ns脉冲激光，控制能量密度使太阳能电池表面上含硫的Si膜材料温度达到熔点。大约宽1mm×30mm高的带状ns激光，以50‑500µm/s速度对其进行扫描，使其表面形成高浓度硫掺杂的具有多晶结构的n+(s)型硫硅半导体合金层，掺硫浓度为5×1018‑1020/cm3。n+(s)合金层与衬底电池的掺P的n(p)型层构成n+(s)/n(p)异质结。
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公开(公告)号：CN103513334A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310446800.1
申请日：2013-09-26
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明涉及一种强激光扫描1×16光波导功分器及其制造方法，所述光波导功分器具有如下结构:首先是将一条直波导将光束输入，然后通过两条分别用5次幂函数书写的对称的弯曲部分，而直波导的末点正好是弯曲部分波导的起点，从而将一条输入光束均匀分成两条光束;随之两条光束分别通过一条直波导过渡，弯曲波导的末点刚好也是下一直波导的起点;然后两束光再分别通过四条用5次幂函数书写的对称的弯曲部分，恰好直波导的末点也是弯曲部分波导的起点，再将两条光束均匀分成了四条光束;同理依次类推，最后可将1条输入光束均匀分成16条光束。本发明设计的光波导功分器匀称性好，损耗相对最低。
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