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公开(公告)号：CN101533972A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910128104.X
申请日：2009-02-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01R12/585 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K3/284 , H05K3/308 , H05K3/3426 , H05K3/368 , H05K2201/1059 , H05K2201/10909 , H05K2201/10962 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及压配合式连接器，其包括具有第一端和第二端的第一部分，以及具有第一端和第二端的第二部分。第一部分的第二端电气式地和机械地与第二部分的第一端连接。第一部分由具有第一机械强度的第一材料制成，第二部分由具有第二机械强度的第二材料制成，其中，第一机械强度大于第二机械强度。本发明还涉及功率半导体模块，其包括压配合式连接器，并且还涉及用于制造包括压配合式连接器的功率半导体模块的方法。
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公开(公告)号：CN118629989A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410234379.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种功率半导体模块装置包括：衬底，其包括电介质绝缘层以及布置在电介质绝缘层的第一表面上的第一金属化层；至少一个半导体主体，其布置在第一金属化层上并且通过导电连接层附接到第一金属化层；以及至少一个导电元件，其布置在第一金属化层上，其中，第一金属化层是包括多个不同的子区段的结构化的层，第一金属化层在竖直方向(y)上具有均匀的厚度，其中，该竖直方向(y)垂直于电介质绝缘层的第一表面，至少一个导电元件中的每个导电元件布置在子区段的子区域上并且覆盖该子区段的子区域，从而增加相应的子区段的子区域的截面面积，并且至少一个导电元件中的每个导电元件包括在其上没有布置半导体主体的导电连接层。
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公开(公告)号：CN101533972B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200910128104.X
申请日：2009-02-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01R12/585 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K3/284 , H05K3/308 , H05K3/3426 , H05K3/368 , H05K2201/1059 , H05K2201/10909 , H05K2201/10962 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及压配合式连接器，其包括具有第一端和第二端的第一部分，以及具有第一端和第二端的第二部分。第一部分的第二端电气式地和机械地与第二部分的第一端连接。第一部分由具有第一机械强度的第一材料制成，第二部分由具有第二机械强度的第二材料制成，其中，第一机械强度大于第二机械强度。本发明还涉及功率半导体模块，其包括压配合式连接器，并且还涉及用于制造包括压配合式连接器的功率半导体模块的方法。
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