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公开(公告)号：CN104752401B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201410858222.7
申请日：2014-11-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H05K1/18
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L23/49811 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16105 , H01L2224/16111 , H01L2224/16237 , H01L2224/75251 , H01L2224/75253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81201 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/83204 , H01L2224/83851 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K1/113 , H05K1/116 , H05K3/3436 , H05K3/3494 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本公开内容总体上涉及包括衬底和电子部件的系统和方法。所述衬底包括包含孔的电路板、布线层和至少部分地设置在所述孔内的第一互连件部分。所述电子部件包括耦合到所述第一互连件部分的第二互连件部分，以在所述电子部件与所述布线层之间形成互连件。
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公开(公告)号：CN104900626B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201510062148.2
申请日：2015-02-05
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/482 , H01L23/535 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本公开内容的实施例涉及管芯到管芯接合以及相关联的集成电路(IC)封装构造。在一个实施例中，封装组件包括封装衬底、第一管芯和第二管芯，所述封装衬底具有设置在第一侧上的阻焊层以及与所述第一侧相对设置的第二侧，所述第一管芯安装在所述第一侧上并且具有通过一个或多个第一管芯级互连件来与所述封装衬底电耦合的有源侧，所述第二管芯使用一个或多个第二管芯级互连件来与所述第一管芯的所述有源侧接合，其中所述第二管芯的至少一部分设置在延伸到所述阻焊层中的空腔中。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN116472607A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180078392.1
申请日：2021-09-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/36
Abstract: 一种半导体封装包括内插器和光子管芯。所述光子管芯具有前侧，所述前侧具有片上光纤连接器和焊料凸块，所述光子管芯在所述内插器上方，所述片上光纤连接器和所述焊料凸块背离所述内插器。贴片衬底安装在所述内插器上，与所述光子管芯相邻。所述逻辑管芯安装在所述贴片衬底上，悬置部超过所述贴片衬底的边缘，并且所述悬置部附接到所述光子管芯的所述焊料凸块。集成散热器(IHS)在所述逻辑管芯上方，使得所述光子管芯不直接接触IHS。
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公开(公告)号：CN115863331A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211017943.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/13 , H01L21/50 , H01L21/58
Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和组装电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括具有阶梯顶表面的封装衬底，以及在阶梯顶表面的第一平台上的第一管芯。在实施例中，第二管芯在阶梯顶表面的第二平台上，其中第二管芯在第一管芯之上延伸。在实施例中，第三管芯在阶梯顶表面的第三平台上，其中第三管芯在第二管芯之上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104798447B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201380060084.1
申请日：2013-12-05
Applicant: 英特尔公司
IPC: H05K1/02
CPC classification number: A41D31/00 , H05K1/0274 , H05K1/038 , H05K1/188 , H05K3/323 , H05K3/3436 , Y10T29/4913
Abstract: 本发明公开了柔性计算织物及其形成方法。柔性计算织物包括电子基板，电子基板包括一个或多个通道并且包括至少两个端部。至少一个计算元件安装在电子基板上且在两个端部之间，并且至少一个功能元件安装在电子基板上且在两个端部之间。通道形成元件之间的互连。另外，电子基板是柔性的并且呈现出0.1GPa到30GPa的范围内的挠曲模量。
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公开(公告)号：CN104798447A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060084.1
申请日：2013-12-05
Applicant: 英特尔公司
IPC: H05K1/02
CPC classification number: A41D31/00 , H05K1/0274 , H05K1/038 , H05K1/188 , H05K3/323 , H05K3/3436 , Y10T29/4913
Abstract: 本发明公开了柔性计算织物及其形成方法。柔性计算织物包括电子基板，电子基板包括一个或多个通道并且包括至少两个端部。至少一个计算元件安装在电子基板上且在两个端部之间，并且至少一个功能元件安装在电子基板上且在两个端部之间。通道形成元件之间的互连。另外，电子基板是柔性的并且呈现出0.1GPa到30GPa的范围内的挠曲模量。
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公开(公告)号：CN117581365A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280045717.0
申请日：2022-07-25
Applicant: 英特尔公司
Inventor： B·董 , K·达尔马韦卡尔塔 , S·V·皮耶塔姆巴拉姆 , D·杜鲁伊契奇 , B·聂 , T·A·易卜拉欣 , A·阿格拉瓦尔 , S·加恩 , R·V·马哈詹 , A·阿列克索夫
IPC: H01L25/16
Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和形成这种电子封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括第一层，其中，所述第一层包括玻璃。在实施例中，第二层在所述第一层上方，其中，所述第二层包括模制材料。在实施例中，第一光子集成电路(PIC)在所述第二层之内。在实施例中，第二PIC在所述第二层之内，并且波导在所述第一层中。在实施例中，所述波导将所述第一PIC光学耦接到所述第二PIC。
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公开(公告)号：CN117334667A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310628041.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L25/065 , H10B80/00 , H01L23/538
Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的设备和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：竖直堆叠的多个管芯；延伸穿过多个管芯的电介质材料的沟槽；延伸穿过电介质材料的沟槽的导电过孔；以及位于多个管芯和导电过孔之间的多个导电通路，其中，导电通路中的各个导电通路电耦合到导电过孔并电耦合到多个管芯中的各个管芯，并且其中，多个导电通路中的各个导电通路具有包括第一材料的第一部分和包括不同于第一材料的第二材料的第二部分。
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公开(公告)号：CN117316940A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310604780.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L21/56 , H01L23/552 , H01L31/0203 , H10B80/00
Abstract: 微电子组件的实施例包括：布置成阵列的多个微电子子组件；以及多个光子集成电路(PIC)管芯，每个PIC管芯具有波导。相邻的微电子子组件通过互连耦合到PIC管芯中的一个PIC管芯，使得任何一个PIC管芯耦合到多于两个相邻的微电子子组件，并且耦合到多个PIC管芯中的每个PIC管芯的微电子子组件通过PIC管芯中的波导通信地耦合。每个微电子子组件包括：内插器集成电路(IC)管芯，其包括接近内插器IC管芯的至少一个边缘的一个或多个电控制器电路；耦合到内插器IC管芯的第一表面的第一多个IC管芯；以及耦合到内插器IC管芯的相对的第二表面的第二多个IC管芯。
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