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公开(公告)号：CN115884319A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211488724.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明提供了一种异构去蜂窝小区系统中无线接入点的高能效部署方法、系统及存储介质，该高能效部署方法包括用户分簇步骤、必要性判断步骤和无线接入点部署步骤。本发明的有益效果是：本发明借助用户簇和两类能效增益完成异构去蜂窝小区中无线接入点的部署，从而提升系统的平均能效性能。其中第一类能效增益实现粗区分，可以快速判断异构去蜂窝小区的必要性；第二类能效增益实现细部署，可以完成服务不同用户簇的无线接入点部署。
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公开(公告)号：CN113716553A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110914349.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 苏州科技大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种气相沉积法制备的二维石墨烯及其制备方法，包括以下步骤：将铜箔清洗，之后用氮气干燥，干燥后放入石英管中；之后用氩气吹扫石英管排尽空气，然后在氢气及氩气气氛中对铜箔高温退火；退火完成后快速冷却至石墨烯生长温度，调节氢气及氩气流速，并通过鼓泡的方式将苯液泵入所述石英管中反应；反应完成后降温至室温，之后关闭气体，最终生成二维石墨烯，本发明在低温常压下制备了单层石墨烯，节省了成本，简化了工艺流程，提升了工艺的安全性。
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公开(公告)号：CN109273556A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810835958.0
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件用衬底及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109256439A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810835959.5
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件用衬底前驱体及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN107195729A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710495199.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/1848 , G01J1/42 , H01L31/113 , H01L31/1852
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113809150A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110908333.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种增强型GaN基HEMT器件，包括P型衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AIN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；还包括凹槽栅结构、源电极、漏电极及栅电极；其中，在AlGaN势垒层的上表面的两端制作源电极和漏电极；在凹槽栅结构中制作栅电极。本发明使得槽终端结构下方至少保留10nm的AlGaN势垒层，以保证槽终端结构下仍存在有高浓度的2DEG，并通过试验发现槽终端可以缓解电场集中效应，提高器件的平均电场强度并增大击穿电压。通过增加AIN界面保护层和绝缘栅介质层，保证表面形态，且通过试验发现AIN界面保护层能够抑制阈值电压的偏移。在制作源电极和漏电极时，取缔常用的Au，而通过合适的厚度及温度、时间，实现低温无金的源漏电极，降低了成本。
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公开(公告)号：CN113789667A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110908320.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明提供摩擦纳米发电机的负性摩擦材料的制备方法，用于制备如用于摩擦纳米发电机的负性摩擦材料；方法包括：改性硅胶作为聚合物基底填充改性钛酸钡纳米线，将制备的混合物涂于导电布上，真空、固化制得复合纳米薄膜作为摩擦材料；其中，改性硅胶、改性钛酸钡纳米线的重量份为：改性硅胶100重量份；改性钛酸钡纳米线5‑30重量份。本发明在改性硅胶中填充改性钛酸钡纳米线，可使得负性摩擦材料的介电性能及拉伸性能同时得到提高；同时对钛酸钡纳米线进行改性处理，避免因钛酸钡的高介电常数性能导致的复合材料的电场分布不均匀。
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公开(公告)号：CN113808941A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110943489.6
申请日：2021-08-17
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供的一种晶体管芯片的制备方法，其包括步骤如下：首先在基圆上外延生长异质结构形成外延片；然后通过刻蚀工艺分别在外延片上对应栅极、源极、漏极区域处减薄；再然后，外延片对应栅极的区域处进行外延生长并通过刻蚀形成终结端；之后通过涂布、溅射、刻蚀分别形成栅极、源极、漏极；最后在外延片表面进行钝化处理以形成保护层，通过刻蚀保护层以预留出电连接源极、漏极的预留位，制造工艺简单重复性高，方便进行大规模生产。
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公开(公告)号：CN109273556B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810835958.0
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件用衬底及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109256439B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810835959.5
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件用衬底前驱体及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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