-
公开(公告)号：CN118282332A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410495989.1
申请日：2024-04-24
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H03F1/30 , H03F1/32 , H03F3/189 , H03F3/20 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了基于GaN HEMT高线性微波功率放大器的控制方法及其控制系统，具体包括以下步骤：A1、电路设置与温度监测；A2、监测放大器参数；A3、图形记录与分析；A4、建立智能模型；A5、补偿算法与应用。本发明涉及放大器技术领域。该基于GaN HEMT高线性微波功率放大器的控制方法及其控制系统，基于智能模型的补偿算法能够在温度变化时及时调整放大器的输入参数，确保放大器在不同温度下都能保持稳定的工作状态。这种控制方法不仅提高了GaN HEMT高线性微波功率放大器的稳定性和可靠性，还优化了其性能表现，使得放大器能够在各种温度环境下都能发挥出最佳的工作效果。
-
公开(公告)号：CN116013969A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211606242.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L21/3205 , H01L21/3213
Abstract: 本申请提供了一种氮化镓HEMT射频微波器件栅金属制备的方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：将清洗后的Ga N片进行第一次烘烤去除水分；对其旋涂电子束光刻胶并第二次烘烤，烘烤后的电子束光刻胶厚度为230nm；基于定义了栅极图案的电子束进行曝光；曝光完成后，使用甲基异丁基酮和异丙醇的溶液显影；在异丙醇中定影溶解显影液中的残胶和残留的甲基异丁基酮；用去离子水对Ga N冲洗并第三次烘烤；蒸镀栅金属并在沸腾的丙酮中剥离；采用电子束制备栅长为亚微米级别的栅金属，从工艺上实现了栅长为亚微米级别的栅金属，提高了氮化镓HEMT器件的工作频段。
-
公开(公告)号：CN113808941A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110943489.6
申请日：2021-08-17
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供的一种晶体管芯片的制备方法，其包括步骤如下：首先在基圆上外延生长异质结构形成外延片；然后通过刻蚀工艺分别在外延片上对应栅极、源极、漏极区域处减薄；再然后，外延片对应栅极的区域处进行外延生长并通过刻蚀形成终结端；之后通过涂布、溅射、刻蚀分别形成栅极、源极、漏极；最后在外延片表面进行钝化处理以形成保护层，通过刻蚀保护层以预留出电连接源极、漏极的预留位，制造工艺简单重复性高，方便进行大规模生产。
-
公开(公告)号：CN116404396B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310584890.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体为一种用于太赫兹探测器的天线组件，包括基于GaNHEMT器件的处理芯片和天线，GaNHEMT的处理芯片和天线场耦合连接；其中，天线包括源极天线、漏极天线和栅极天线，所述源极天线和漏极天线设置在栅极两侧且对称，且栅极天线连接栅极向所述源极天线或漏极天线一侧延伸；所述源极天线和漏极天线长为38‑58微米，宽均为4‑19微米，中间栅极长200‑900纳米，中间栅极距源极天线和漏极天线的间距均为200‑650纳米；通过本发明天线组件实现在室温下提升探测器灵敏度一个数量级，室温下噪声等效功率达8pW/Hz0.5以下；将天线组件与超半球硅透镜或者喇叭直波导集成，提升太赫兹波的吸收率，灵敏度得到提升。
-
公开(公告)号：CN113809151A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110908334.9
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供基于GaN‑HEMT的增强型器件的制备方法，包括：形成硅基GaN外延片，从下到上依次包括P型衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AIN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；采用刻蚀工艺以实现凹槽栅结构；生成刻蚀界面的保护层；制作源电极、漏电极及栅电极。本发明通过数字式ICP刻蚀工艺实现精确刻蚀凹槽栅的深度，并通过刻蚀槽终端提高器件的平均电场强度并增大击穿电压。刻蚀过程中严格控制各工作参数，得到更好的刻蚀效果，并在刻蚀后生成保护层，保证样品表面的粗糙度良好，抑制器件的退化。最后，通过在制作源电极和漏电极的欧姆接触时，取缔常用的Au，而通过合适的厚度及温度、时间，实现低温无金的制作方法，降低了成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113794399A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110907593.X
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提供一种柔性可穿戴的摩擦纳米发电机，包括经线和纬线，经线和纬线通过编织的方法制备织物；经线包括第一电极和第一摩擦材料；纬线包括第二电极和第二摩擦材料；当外力作用于摩擦纳米发电机时，经线中的第一摩擦材料与纬线中的第二摩擦材料接触摩擦，在二者表面产生电势差。本发明第一摩擦材料采用适合人体穿戴的硅胶膜，且硅胶膜不受湿度影响，更适宜穿戴；且在硅胶中加入钛酸钡纳米线，提高介电常数，尤其是添加改性后的钛酸钡纳米线后，不仅能够提高介电性能，还能提高击穿强度；同时，第二摩擦材料采用聚氨酯丙烯酸酯、银纳米纤维、液态金属球组成复合薄膜，相对于传统的PVDF、PDMS等材料，其拉伸率大大提高，更适宜穿戴。
-
公开(公告)号：CN113750652A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110908290.X
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于PM2.5的石墨烯复合抗菌净化材料，由以下重量份的原料制备而成：石墨烯20‑50份；木质素10‑15份；椰壳活性炭40‑60份；纳米二氧化钛2‑8份；甲基纤维素0.5‑3份；滑石粉0.5‑3份；去离子水400‑600份。本发明还涉及该用于PM2.5的石墨烯复合抗菌净化材料的制备方法，通过制备本发明配方的复合净化材料，能在保证充分过滤PM2.5的同时去除其他有害空气或水污染物。
-
公开(公告)号：CN113620282A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110908256.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: C01B32/192
Abstract: 本发明涉及一种制备高比表面石墨烯的方法，方法为：1)将15mg/mL强碱水溶液加入10mg/mL氧化石墨烯溶液中，混合均匀得悬浮液，强碱溶液与氧化石墨烯溶液的体积比为6:1～1:1；2)往悬浮液中加入0.1～0.4g维生素C、以及0.1g汉斯酯1,4‑二氢吡啶后，将其置于85℃～95℃的水浴锅中反应24‑30小时以得到还原后的石墨烯，干燥得固体。通过该方法制备的石墨烯比表面积大于1000m2/g，且成本低，环境友好性高。
-
公开(公告)号：CN117747614B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410042394.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L27/085 , H01L21/8252 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其为一种GaN HEMT环形振荡器及其制作方法，其方法包括如下步骤：提前准备好GaN基片、金属电极材料和绝缘层材料，并将GaN基片进行清洗和平整度处理；选择金属有机分解物，将金属有机分解物注入反应炉中，让反应炉的温度保持在800℃到1100℃之间，气体流量在60到400立方厘米每分钟，再加入金属电极材料。本发明具备突破Si基材料限制的优点，GaN HEMT环形振荡器利用氮化镓材料研发的振荡器技术，具有卓越的高频性能和功率特性，相比于传统的硅基器件，GaN HEMT环形振荡器能够实现更高的频率范围、更高的功率增益和更高的效率；通过采用GaN HEMT环形振荡器，可以克服硅材料在高频和高功率应用中所面临的物理极限。
-
公开(公告)号：CN116073774A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211606280.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于GaN HEMT的高线性微波功率放大器，涉及通信技术领域，包括第一放大模块、第二放大模块和级间模块；其中，第一放大模块与级间模块的输入端连接，第二放大模块与级间模块的输出端连接；第一放大模块包括第一晶体管，第二放大模块包括第二晶体管和第三晶体管，所述第二晶体管和第三晶体管并联；所述级间模块用于第一放大模块和第二放大模块的共轭匹配；通过设置两级放大模块，并在两级放大模块之间设置级间共轭匹配，避免了通过两级放大模块的级联放大出现的非线性问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.021 seconds)
