公开(公告)号：CN113809151A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110908334.9

申请日：2021-08-09

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 陈丽香 ,  孙云飞 ,  阙妙玲 ,  孙佳惟 ,  李涛 ,  吴靖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供基于GaN‑HEMT的增强型器件的制备方法，包括：形成硅基GaN外延片，从下到上依次包括P型衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AIN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；采用刻蚀工艺以实现凹槽栅结构；生成刻蚀界面的保护层；制作源电极、漏电极及栅电极。本发明通过数字式ICP刻蚀工艺实现精确刻蚀凹槽栅的深度，并通过刻蚀槽终端提高器件的平均电场强度并增大击穿电压。刻蚀过程中严格控制各工作参数，得到更好的刻蚀效果，并在刻蚀后生成保护层，保证样品表面的粗糙度良好，抑制器件的退化。最后，通过在制作源电极和漏电极的欧姆接触时，取缔常用的Au，而通过合适的厚度及温度、时间，实现低温无金的制作方法，降低了成本。

公开(公告)号：CN113794399A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110907593.X

申请日：2021-08-09

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 阙妙玲 ,  孙云飞 ,  陈丽香 ,  孙佳惟 ,  刘传洋 ,  李涛

IPC: H02N1/04

Abstract: 本发明提供一种柔性可穿戴的摩擦纳米发电机，包括经线和纬线，经线和纬线通过编织的方法制备织物；经线包括第一电极和第一摩擦材料；纬线包括第二电极和第二摩擦材料；当外力作用于摩擦纳米发电机时，经线中的第一摩擦材料与纬线中的第二摩擦材料接触摩擦，在二者表面产生电势差。本发明第一摩擦材料采用适合人体穿戴的硅胶膜，且硅胶膜不受湿度影响，更适宜穿戴；且在硅胶中加入钛酸钡纳米线，提高介电常数，尤其是添加改性后的钛酸钡纳米线后，不仅能够提高介电性能，还能提高击穿强度；同时，第二摩擦材料采用聚氨酯丙烯酸酯、银纳米纤维、液态金属球组成复合薄膜，相对于传统的PVDF、PDMS等材料，其拉伸率大大提高，更适宜穿戴。

公开(公告)号：CN113750652A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110908290.X

申请日：2021-08-09

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 孙佳惟 ,  孙云飞 ,  阙妙玲 ,  陈丽香 ,  李涛 ,  吴靖

IPC: B01D39/20 ,  B01D39/16 ,  B01D46/00 ,  C02F1/00

Abstract: 本发明涉及一种用于PM2.5的石墨烯复合抗菌净化材料，由以下重量份的原料制备而成：石墨烯20‑50份；木质素10‑15份；椰壳活性炭40‑60份；纳米二氧化钛2‑8份；甲基纤维素0.5‑3份；滑石粉0.5‑3份；去离子水400‑600份。本发明还涉及该用于PM2.5的石墨烯复合抗菌净化材料的制备方法，通过制备本发明配方的复合净化材料，能在保证充分过滤PM2.5的同时去除其他有害空气或水污染物。

公开(公告)号：CN113620282A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110908256.2

申请日：2021-08-09

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 孙佳惟 ,  孙云飞 ,  陈丽香 ,  阙妙玲 ,  李涛 ,  吴靖

IPC: C01B32/192

Abstract: 本发明涉及一种制备高比表面石墨烯的方法，方法为：1)将15mg/mL强碱水溶液加入10mg/mL氧化石墨烯溶液中，混合均匀得悬浮液，强碱溶液与氧化石墨烯溶液的体积比为6:1～1:1；2)往悬浮液中加入0.1～0.4g维生素C、以及0.1g汉斯酯1,4‑二氢吡啶后，将其置于85℃～95℃的水浴锅中反应24‑30小时以得到还原后的石墨烯，干燥得固体。通过该方法制备的石墨烯比表面积大于1000m2/g，且成本低，环境友好性高。

公开(公告)号：CN113716553A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110914349.6

申请日：2021-08-10

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 孙佳惟 ,  孙云飞 ,  阙妙玲 ,  陈丽香 ,  刘传洋 ,  李涛

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种气相沉积法制备的二维石墨烯及其制备方法，包括以下步骤：将铜箔清洗，之后用氮气干燥，干燥后放入石英管中；之后用氩气吹扫石英管排尽空气，然后在氢气及氩气气氛中对铜箔高温退火；退火完成后快速冷却至石墨烯生长温度，调节氢气及氩气流速，并通过鼓泡的方式将苯液泵入所述石英管中反应；反应完成后降温至室温，之后关闭气体，最终生成二维石墨烯，本发明在低温常压下制备了单层石墨烯，节省了成本，简化了工艺流程，提升了工艺的安全性。

公开(公告)号：CN113808941A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110943489.6

申请日：2021-08-17

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 陈丽香 ,  孙云飞 ,  阙妙玲 ,  孙佳惟 ,  刘传洋 ,  李涛

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明提供的一种晶体管芯片的制备方法，其包括步骤如下：首先在基圆上外延生长异质结构形成外延片；然后通过刻蚀工艺分别在外延片上对应栅极、源极、漏极区域处减薄；再然后，外延片对应栅极的区域处进行外延生长并通过刻蚀形成终结端；之后通过涂布、溅射、刻蚀分别形成栅极、源极、漏极；最后在外延片表面进行钝化处理以形成保护层，通过刻蚀保护层以预留出电连接源极、漏极的预留位，制造工艺简单重复性高，方便进行大规模生产。

公开(公告)号：CN113794397A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110907579.X

申请日：2021-08-09

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 阙妙玲 ,  孙云飞 ,  孙佳惟 ,  陈丽香 ,  李涛 ,  吴靖

IPC: H02N1/04 ,  D01F1/10 ,  D01F6/94 ,  D03D1/00 ,  D03D15/50 ,  D03D15/58

Abstract: 本发明提供一种用于摩擦纳米发电机的摩擦材料，包括负性摩擦材料，所述负性摩擦材料包括改性硅胶、改性钛酸钡纳米线；二者的重量份为：改性硅胶100重量份；改性钛酸钡纳米线5‑30重量份。本发明提供的摩擦材料，在负性摩擦材料中采用改性硅胶和改性钛酸钡纳米线，提高了摩擦起电后的介电性能；且在正性摩擦材料中采用复合薄膜，提高了其拉伸性能。