一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法

    公开(公告)号:CN113613481A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110899191.X

    申请日:2021-08-06

    Abstract: 本发明公开了一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法,包括以下操作步骤:采取纳米材料制备技术、半导体材料、高分子材料和PCB板技术相结合,在电极切槽部位印刷具有疏松骨架结构以及半导体特性的功能材料层,切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙,实现低电压特性,通过激光精度切割制备的电极缝隙。本发明所述的一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法,通过激光精度切割制备的电极缝隙,相对于厚膜印刷工艺制备的电极,缝隙宽度一致性好,采用双缝隙电极设计,实现低容值,解决了超小容值的问题,采用3层压合板设计,实现了内部结构较高的致密度,具有较高的防渗透和耐湿气的性能。

    一种用于PTC表面无铅银电极共烧体系浆料的制备方法

    公开(公告)号:CN108376586B

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201810104168.5

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 本发明公开了一种用于PTC表面无铅银电极共烧体系浆料的制备方法,所述共烧体系浆料包括欧姆Ag‑Zn浆料和表面Ag浆料,其制备方法包括以下步骤:步骤一,制备低温玻璃粉体;步骤二,制备有机载体;步骤三,制备纳米银粉;步骤四,制备欧姆Ag‑Zn浆料;步骤五,制备高温玻璃粉体;步骤六,制备表面Ag浆料。本发明的PTC表面无铅银电极采用欧姆Ag‑Zn浆料和表面Ag浆料共烧体系浆料,采用相同无铅玻璃体系,调节欧姆浆料中的银、锌、锡等金属的比例,匹配表浆的烧结工艺,达到两次印刷一次烧结的共烧效果。

    一种用于PTC表面无铅银电极共烧体系浆料的制备方法

    公开(公告)号:CN108376586A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810104168.5

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 本发明公开了一种用于PTC表面无铅银电极共烧体系浆料的制备方法,所述共烧体系浆料包括欧姆Ag-Zn浆料和表面Ag浆料,其制备方法包括以下步骤:步骤一,制备低温玻璃粉体;步骤二,制备有机载体;步骤三,制备纳米银粉;步骤四,制备欧姆Ag-Zn浆料;步骤五,制备高温玻璃粉体;步骤六,制备表面Ag浆料。本发明的PTC表面无铅银电极采用欧姆Ag-Zn浆料和表面Ag浆料共烧体系浆料,采用相同无铅玻璃体系,调节欧姆浆料中的银、锌、锡等金属的比例,匹配表浆的烧结工艺,达到两次印刷一次烧结的共烧效果。

    一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法

    公开(公告)号:CN113613481B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202110899191.X

    申请日:2021-08-06

    Abstract: 本发明公开了一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法,包括以下操作步骤:采取纳米材料制备技术、半导体材料、高分子材料和PCB板技术相结合,在电极切槽部位印刷具有疏松骨架结构以及半导体特性的功能材料层,切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙,实现低电压特性,通过激光精度切割制备的电极缝隙。本发明所述的一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法,通过激光精度切割制备的电极缝隙,相对于厚膜印刷工艺制备的电极,缝隙宽度一致性好,采用双缝隙电极设计,实现低容值,解决了超小容值的问题,采用3层压合板设计,实现了内部结构较高的致密度,具有较高的防渗透和耐湿气的性能。

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