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公开(公告)号：CN103051302B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201110308012.7
申请日：2011-10-12
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: H03H9/2436 , H03H3/0072 , Y10T29/49016
Abstract: 本发明涉及一种横向体声波谐振器、制备该横向体声波谐振器的方法以及应用该横向体声波谐振器的振荡器，属于微机电系统（MEMS）领域。本发明中所述的横向体声波谐振器通过固定端约束谐振体上下左右位移，通过将谐振体垂直设置，使谐振体与驱动电极组成的机-电耦合系统后，当该机-电耦合系统受到外力驱动时，谐振体仅在水平方向上收缩变形，从而使其振动模式单一稳定，故而通过应用此种结构的振荡器在工作时可以获得稳定的频率。而本发明中的谐振器的制备工艺则采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、键合工艺、湿法腐蚀等工艺形成悬浮谐振体，固定端，以及纳米级间距驱动电极，能够有效控制悬浮谐振体的高度，厚度，以及驱动电极间隙。
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公开(公告)号：CN105120417A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510612346.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种单片集成芯片及其制作方法，所述单片集成芯片包括一硅基片、设于硅基片第一区域内的集成电路以及设于第二区域内与集成电路电气连接的电容式微硅麦克风。所述硅基片包括一硅器件层及位于硅器件层下的硅衬底，所述硅器件层为第一极板。所述单片集成芯片还包括设于第二区域内且位于所述第一极板上方的第二极板以及位于第一、第二极板之间的空腔，所述第一极板上设有上下贯穿且与所述空腔连通的若干声孔，所述第二极板为可动的悬臂梁式结构，悬于所述空腔的上方，所述第二极板为采用低温淀积工艺形成。如此，使得集成电路的性能稳定，并且所述电容式微硅麦克风灵敏度高。
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公开(公告)号：CN102190284B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN104140072A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310168305.9
申请日：2013-05-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81C2203/0792 , H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法，包括如下步骤：S1：提供第一芯片，包括第一衬底、设置在第一衬底上的隔离部、形成在第一衬底上且具有可动敏感部的微机电系统器件层、形成在可动敏感部下方的第一引线层、设置于微机电系统器件层上的第一电气键合点、以及形成在隔离部内且与第一电气键合点电气连接的电气连接部；S2：提供具有IC集成电路的第二芯片，包括第二引线层、以及第二电气键合点；S3：将第一电气键合点和第二电气键合点键合，第二引线层和第一引线层对称设置在可动敏感部的两侧；S4：将第一衬底于背面进行减薄操作以露出隔离部；S5：在第一衬底的背面上形成与外界电路电气连接的电气连接层。
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公开(公告)号：CN104113812A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410391494.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , H04R7/20 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种电容式微硅麦克风及其制造方法。所述电容式微硅麦克风包括衬底、设置在衬底正面的第一绝缘支撑层、形成在所述第一绝缘支撑层上方的可动敏感层、设置在可动敏感层上方的背极板。可动敏感层包括与背极板间隔设置的振动体。所述衬底和第一绝缘支撑层形成有自衬底的背面朝正面方向凹陷以露出所述振动体的背腔。所述可动敏感层还具有若干设置在振动体周围并固定在背极板和衬底之间的锚点、连接锚点和振动体并向下暴露于背腔内的柔性梁以及连接在锚点外侧的压焊点。所述第一绝缘支撑层还包括自背腔向外继续延伸的延伸腔，所述电容式微硅麦克风还包括抗冲击结构，所述抗冲击结构向下暴露于延伸腔内且呈悬空状设置于衬底的正面上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103957498A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410215224.4
申请日：2014-05-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明涉及一种侧面进声的硅麦克风封装结构，其包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通，从而实现了侧面进声。
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公开(公告)号：CN103257005B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210039207.0
申请日：2012-02-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
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公开(公告)号：CN103832964A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210469696.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统器件的制造方法，包括如下步骤：S1：提供第一芯片，包括具有可动敏感部的微机电系统器件层和第一电气键合点；S2：提供第二芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底、设置于衬底上并自第二表面朝第一表面方向延伸的隔离部、设置在第二表面上的第二电气键合点，衬底还具有与所述第二电气键合点电气连接的电气连接部，隔离部围设在电气连接部的外围；S3：将第一芯片和第二芯片键合，第二表面朝向微机电系统器件层，第一电气键合点与第二电气键合点键合；S4：将键合后的第二芯片的衬底于其第一表面进行减薄操作以露出隔离部；S5：在减薄后的衬底的第一表面形成与外界电路电气连接的电气连接层。
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公开(公告)号：CN103402161A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310307946.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微硅麦克风及其制作方法，包括具有正面和背面的衬底、贯通衬底的背腔、设置在衬底的正面且作为硅麦克风两极板的背板和振动体、以及形成在背板和振动体之间的振动空间，背板通过窄槽将其分割形成中心部和围设在中心部外围的外围部，中心部和外围部上设置有若干声孔，中心部和外围部通过绝缘连接部连接，微硅麦克风还包括分别与背板的中心部和外围部电性连接的第一信号部和第二信号部、以及与振动体电性连接的第三信号部，该微硅麦克风实现探测两种不同声压范围的信号，有效的避免信号失真，且具有体积小的优点，而相对制作工艺来说，由于，在制作的过程中，采用常规工艺加工实现，所以，其制作方法简单。
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公开(公告)号：CN103281663A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310262325.2
申请日：2013-06-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法，包括如下步骤：S1：提供一单晶硅基片，具有第一区域及第二区域；S2：在第一区域上生成集成电路，同时，在第二区域上形成金属导电层及介质绝缘层；S3：在第二区域上形成若干声孔，进而形成上腔体；S4：在第二区域上淀积牺牲层，牺牲层包括位于声孔的上方且覆盖在介质绝缘层上的平坦层；S5：在牺牲层和介质绝缘层上采用低温淀积工艺或者等离子体增强气相淀积工艺生成与金属导电层电性连接的多晶硅锗薄膜，进而生成声音敏感膜；S6：于硅基片的下表面上内凹形成有与上腔体连通的下腔体；S7：腐蚀牺牲层及去除介质绝缘层以形成振动空间，以使声音敏感膜变为可动结构。
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