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公开(公告)号：CN102193002A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010148677.1
申请日：2010-03-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于检测地震、地音的加速度传感器及其制造方法，所述加速度传感器包括组成阵列式的若干个子结构，每一个子结构包括质量块、与质量块在横向上相互连接的锚点及可相互之间在横向上产生相对位移的梳齿；所述若干个子结构在横向上通过第一支撑结构相互连接，并且所述若干个子结构在垂直横向的纵向上通过第二支撑结构相互连接。所述加速度传感器可以通过连接各个子结构之间的第一、第二支撑结构来进行应力释放，从而提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN102261979B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010183674.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法，具体步骤包括：(a)提供硅片，在硅片的背面覆盖作为掩膜的氧化硅和氮化硅，并用RIE刻蚀掉作为掩膜的氧化硅和氮化硅以形成膜结构开口；(b)去除光刻胶后腐蚀或刻蚀硅片，使得在膜结构开口处形成一定深度；(c)光刻出岛结构，并用RIE刻蚀掉岛结构上的氧化硅和氮化硅；(d)去除光刻胶后继续腐蚀或刻蚀硅片，得到所需厚度的感压薄膜；(e)用BOE腐蚀掉剩下的氧化硅和氮化硅；(f)提供键合层，并将键合层固定在硅片的正面，键合层设置与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块，所述止挡块与感压薄膜之间预留有间隙以限制感压薄膜的过度变形；还包括在感压薄膜的应力集中区制作用以连接成惠斯通电桥的若干压阻条的步骤。通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。
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公开(公告)号：CN104140072A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310168305.9
申请日：2013-05-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81C2203/0792 , H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法，包括如下步骤：S1：提供第一芯片，包括第一衬底、设置在第一衬底上的隔离部、形成在第一衬底上且具有可动敏感部的微机电系统器件层、形成在可动敏感部下方的第一引线层、设置于微机电系统器件层上的第一电气键合点、以及形成在隔离部内且与第一电气键合点电气连接的电气连接部；S2：提供具有IC集成电路的第二芯片，包括第二引线层、以及第二电气键合点；S3：将第一电气键合点和第二电气键合点键合，第二引线层和第一引线层对称设置在可动敏感部的两侧；S4：将第一衬底于背面进行减薄操作以露出隔离部；S5：在第一衬底的背面上形成与外界电路电气连接的电气连接层。
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公开(公告)号：CN102261979A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010183674.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器及其制造方法，所述传感器包括硅片及安装于硅片上方的键合层，所述硅片设有感压薄膜，感压薄膜上突出有岛结构；所述硅片采用岛结构的形式来实现低量程测量的要求；通过键合在硅片上面的键合层以实现绝对压力的测量；另外，所述键合层还设有防止感压薄膜过度变形的止挡块，通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。
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公开(公告)号：CN103832964A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210469696.3
申请日：2012-11-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统器件的制造方法，包括如下步骤：S1：提供第一芯片，包括具有可动敏感部的微机电系统器件层和第一电气键合点；S2：提供第二芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底、设置于衬底上并自第二表面朝第一表面方向延伸的隔离部、设置在第二表面上的第二电气键合点，衬底还具有与所述第二电气键合点电气连接的电气连接部，隔离部围设在电气连接部的外围；S3：将第一芯片和第二芯片键合，第二表面朝向微机电系统器件层，第一电气键合点与第二电气键合点键合；S4：将键合后的第二芯片的衬底于其第一表面进行减薄操作以露出隔离部；S5：在减薄后的衬底的第一表面形成与外界电路电气连接的电气连接层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103245340A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210022206.5
申请日：2012-02-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01C19/5712
CPC classification number: G01C19/5733
Abstract: 本发明涉及一种单芯片三轴陀螺仪，具有体积小、成本低廉、低功耗的优点，其包括：质量块，质量块包括相互耦合的主质量块和耦合质量块，主质量块为偶数个且沿Y轴对称设置于耦合质量块两侧；电极层组，电极层组包括第一电极层组、第二电极层组和第三电极层组，第一电极层组、第二电极层组与质量块之间具有间隙，且第一电极层组沿Y轴对称设置于第二电极层组的两侧，第一电极层组位于质量块的正投影内，第二电极层组位于耦合质量块的正投影内，第三电极层组包括一组静止型细长平板和一组活动型细长平板，第三电极层组通过弹性部件与所述主质量块连接；驱动梳齿组，驱动梳齿组与主质量块连接，用以输入信号并驱动主质量块移动。
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公开(公告)号：CN203269551U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320247175.3
申请日：2013-05-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种微机电系统与集成电路的集成芯片，包括第一芯片，第一芯片包括衬底、设置在衬底上且具有可动敏感部的微机电系统器件层、设置在可动敏感部下方的第一引线层、以及设置在微机电系统器件层上的第一电气键合点，微机电系统与集成电路的集成芯片还包括设置第一芯片上且具有IC集成电路的第二芯片、以及设置在第一芯片上的电气连接层，第二芯片包括第二引线层、以及与第一电气键合点键合的第二电气键合点，第二引线层和第一引线层对称设置在可动敏感部的两侧，第一芯片还包括用以将第一电气键合点与电气连接层电气连接的电气连接部。
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公开(公告)号：CN202511800U
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201220031561.4
申请日：2012-02-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本实用新型涉及一种单芯片三轴陀螺仪，具有体积小、成本低廉、低功耗的优点，其包括：质量块，质量块包括相互耦合的主质量块和耦合质量块，主质量块为偶数个且沿Y轴对称设置于耦合质量块两侧；电极层组，电极层组包括第一电极层组、第二电极层组和第三电极层组，第一电极层组、第二电极层组与质量块之间具有间隙，且第一电极层组沿Y轴对称设置于第二电极层组的两侧，第一电极层组位于质量块的正投影内，第二电极层组位于耦合质量块的正投影内，第三电极层组包括一组静止型细长平板和一组活动型细长平板，第三电极层组通过弹性部件与所述主质量块连接；驱动梳齿组，驱动梳齿组与主质量块连接，用以输入信号并驱动主质量块移动。
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公开(公告)号：CN202988703U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220613791.1
申请日：2012-11-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本实用新型涉及一种微机电系统器件，包括第一芯片、与第一芯片相键合的第二芯片、以及设置在第二芯片上的电气连接层，第一芯片包括微机电系统器件层和设置于微机电系统器件层上的第一电气键合点，微机电系统器件层包括可动敏感部，第二芯片包括衬底、设置于衬底上且与第一电气键合点键合的第二电气键合点、以及自衬底内凹形成并朝向第一芯片的可动敏感部的空腔，衬底包括用以将第二电气键合点与电气连接层电气连接的电气连接部。该微机电系统器件具有封装成本低和封装体积小的优点，同时，其又减小了微机电系统器件的寄生电容和阻尼。
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公开(公告)号：CN201716326U
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201020146555.4
申请日：2010-03-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本实用新型揭示了一种用于检测地震、地音的加速度传感器，包括组成阵列式的若干个子结构，每一个子结构包括质量块、与质量块在横向上相互连接的锚点及可相互之间在横向上产生相对位移的梳齿；所述若干个子结构在横向上通过第一支撑结构相互连接，并且所述若干个子结构在垂直横向的纵向上通过第二支撑结构相互连接。所述加速度传感器可以通过连接各个子结构之间的第一、第二支撑结构来进行应力释放，从而提高了灵敏度。
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