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公开(公告)号：CN118332859A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410476889.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10 , G06F113/14 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及海洋油气资源开发技术领域，尤其是指一种抗压铠装层爆破失效特性的数值建模方法，包括：构建非粘结柔性立管的数值模型；对非粘结柔性立管的数值模型设置边界条件和层与层的接触关系；对非粘结柔性立管的数值模型施加载荷，对非粘结柔性立管的数值模型进行数值模拟，计算得到非粘结柔性立管内抗压铠装层在不同内压载荷下的应力分布，从而得到非粘结柔性立管的最大承载能力。本发明能够用于计算一定边界条件非粘结柔性立管在内压载荷作用下的结构响应以及失效特性，为海洋油气开发提供了更精确的数值计算方法。
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公开(公告)号：CN116642112A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310318140.2
申请日：2023-03-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种稳压器支撑装置，包括轴体；多个旋转座，多个旋转座均能够转动的设置在轴体上，每个旋转座的侧壁上均设置有支撑臂，支撑臂倾斜向上延伸；旋转座包括展开状态和收纳状态，当旋转座处于展开状态时，多个旋转座相对转动、使得每个旋转座上的支撑臂均沿旋转座的圆周方向展开；当旋转座处于收纳状态时，多个旋转座相对转动、使得每个旋转座上的支撑臂均沿旋转座的圆周方向聚拢。本发明所述的稳压器支撑装置，泛用性强；节省空间，空间利用率高。对于需要进行较多次数无损检测作业的稳压器，能够减少工作人员的工作量，避免不必要的时间浪费。形成一种倒伞状的支撑结构，对稳压器抱合支撑，定位精度较高，支撑稳定性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113995853A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111315671.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明是治疗慢性炎症调节免疫微环境的纳米复合物载药系统，纳米复合物(NCs)是通过程序化递送，协调骨免疫微环境对抗类风湿性关节炎；该纳米颗粒NCs可分为阳离子内核和外层结构；该纳米颗粒NCs由阳离子内核和表面吸附的IL‑4组成，阳离子内核由穿膜螺旋多肽(PG)和miR‑21组成，外层由酸敏感电荷反转聚合物(PLL‑CA)和表面吸附的IL‑4组成；目前临床治疗以小分子免疫抑制剂和抗体为主，这些药物主要涉及炎性细胞因子的直接清除，以实现炎症的即时调节，但不能将RA转移到消退阶段；因此，探索既能抑制急性炎症反应，又能促进解决问题的新途径，实现RA的有效治疗，势在必行。
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公开(公告)号：CN116423384B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202310307906.7
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: B24B37/30 , C25F3/30 , H01L21/306 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。
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公开(公告)号：CN117551393A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311513925.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明属于电化学机械抛光领域，具体涉及一种氮化镓晶圆的绿色抛光液。本发明提供了一种以芬顿反应为氧化剂、金刚石为磨粒的氮化镓晶圆的绿色抛光液，采用的抛光液打破了芬顿反应pH不大于3的限制，使抛光液在偏中性环境中仍有较好的氧化性，且抛光液稳定性较好，绿色无污染，抛光效果好。
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公开(公告)号：CN117359104A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311513929.X
申请日：2023-11-14
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/352 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 发明涉及一种基于液相下激光技术的碳化硅晶体化学机械抛光方法，包括：液相下激光扫描辅助工序，将待加工Si C晶体放置在盛放有液体介质的容器中，待加工Si C晶体被液体介质浸泡，纳秒激光器的激光束射在待加工Si C晶体的表面进行激光扫描加工，用以对待加工Si C晶体进行烧蚀和氧化改性；激光束沿X方向以蛇形路径扫描；旋转容器，激光束沿Y方向以蛇形路径扫描；X方向和Y方向相交且与待加工Si C晶体表面所在的平面平行；化学机械抛光工序，对激光处理后的待加工Si C晶体的表面材料进行去除。本发明先采用激光扫描对Si C晶体进行烧蚀和氧化改性，随后采用CMP进行材料去除，可实现Si C晶体的高效、低损伤超精密抛光。
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公开(公告)号：CN116423384A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310307906.7
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: B24B37/30 , C25F3/30 , H01L21/306 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。
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