公开(公告)号：CN118332859A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410476889.4

申请日：2024-04-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 彭洋 ,  王子睿 ,  刘庆升 ,  刘晓雅 ,  曲中源 ,  刘义 ,  王永光 ,  刘婷玉 ,  王刚 ,  王传洋

IPC: G06F30/23 ,  G06F111/10 ,  G06F113/14 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及海洋油气资源开发技术领域，尤其是指一种抗压铠装层爆破失效特性的数值建模方法，包括：构建非粘结柔性立管的数值模型；对非粘结柔性立管的数值模型设置边界条件和层与层的接触关系；对非粘结柔性立管的数值模型施加载荷，对非粘结柔性立管的数值模型进行数值模拟，计算得到非粘结柔性立管内抗压铠装层在不同内压载荷下的应力分布，从而得到非粘结柔性立管的最大承载能力。本发明能够用于计算一定边界条件非粘结柔性立管在内压载荷作用下的结构响应以及失效特性，为海洋油气开发提供了更精确的数值计算方法。

公开(公告)号：CN117359104A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311513929.X

申请日：2023-11-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王永光 ,  王子睿 ,  贺海东 ,  彭洋 ,  张天宇 ,  成锋 ,  朱睿 ,  彭超 ,  师晓曼

IPC: B23K26/352 ,  B23K26/60 ,  B23K26/70

Abstract: 发明涉及一种基于液相下激光技术的碳化硅晶体化学机械抛光方法，包括：液相下激光扫描辅助工序，将待加工Si C晶体放置在盛放有液体介质的容器中，待加工Si C晶体被液体介质浸泡，纳秒激光器的激光束射在待加工Si C晶体的表面进行激光扫描加工，用以对待加工Si C晶体进行烧蚀和氧化改性；激光束沿X方向以蛇形路径扫描；旋转容器，激光束沿Y方向以蛇形路径扫描；X方向和Y方向相交且与待加工Si C晶体表面所在的平面平行；化学机械抛光工序，对激光处理后的待加工Si C晶体的表面材料进行去除。本发明先采用激光扫描对Si C晶体进行烧蚀和氧化改性，随后采用CMP进行材料去除，可实现Si C晶体的高效、低损伤超精密抛光。

公开(公告)号：CN117551393A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311513925.1

申请日：2023-11-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 彭洋 ,  成锋 ,  王子睿 ,  王永光 ,  张天宇 ,  朱睿 ,  师晓曼 ,  彭超

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明属于电化学机械抛光领域，具体涉及一种氮化镓晶圆的绿色抛光液。本发明提供了一种以芬顿反应为氧化剂、金刚石为磨粒的氮化镓晶圆的绿色抛光液，采用的抛光液打破了芬顿反应pH不大于3的限制，使抛光液在偏中性环境中仍有较好的氧化性，且抛光液稳定性较好，绿色无污染，抛光效果好。