公开(公告)号：CN117359104A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311513929.X

申请日：2023-11-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王永光 ,  王子睿 ,  贺海东 ,  彭洋 ,  张天宇 ,  成锋 ,  朱睿 ,  彭超 ,  师晓曼

IPC: B23K26/352 ,  B23K26/60 ,  B23K26/70

Abstract: 发明涉及一种基于液相下激光技术的碳化硅晶体化学机械抛光方法，包括：液相下激光扫描辅助工序，将待加工Si C晶体放置在盛放有液体介质的容器中，待加工Si C晶体被液体介质浸泡，纳秒激光器的激光束射在待加工Si C晶体的表面进行激光扫描加工，用以对待加工Si C晶体进行烧蚀和氧化改性；激光束沿X方向以蛇形路径扫描；旋转容器，激光束沿Y方向以蛇形路径扫描；X方向和Y方向相交且与待加工Si C晶体表面所在的平面平行；化学机械抛光工序，对激光处理后的待加工Si C晶体的表面材料进行去除。本发明先采用激光扫描对Si C晶体进行烧蚀和氧化改性，随后采用CMP进行材料去除，可实现Si C晶体的高效、低损伤超精密抛光。

公开(公告)号：CN116423384A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310307906.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王子睿 ,  王永光 ,  刘庆升 ,  丁钊 ,  朱睿 ,  成锋 ,  师晓曼 ,  彭超

IPC: B24B37/30 ,  C25F3/30 ,  H01L21/306 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。

公开(公告)号：CN116423384B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202310307906.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王子睿 ,  王永光 ,  刘庆升 ,  丁钊 ,  朱睿 ,  成锋 ,  师晓曼 ,  彭超

IPC: B24B37/30 ,  C25F3/30 ,  H01L21/306 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 本发明涉及一种电化学机械抛光头及抛光装置，所述电化学机械抛光头包括抛光头主体和固定于其内部的工作电极；所述工作电极包括紧密贴合的第一分体和第二分体，所述第一分体内部设置有安装槽；所述第二分体具有与所述安装槽相仿形的结构并嵌设于所述安装槽内；所述第二分体安装至所述安装槽、且所述工作电极安装至所述避让槽后，所述抛光头主体、所述第一分体、所述第二分体的表面平齐；本发明将电化学反应中的工作电极设置为分体结构，能够控制压力与电势互补分布，平衡电化学反应程度和机械加工强度，在阳极氧化和磨粒机械去除的共同作用下实现半导体晶圆的高效抛光，提升材料的去除均匀性、去除速率，产品表面形貌优势明显。

公开(公告)号：CN117551393A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311513925.1

申请日：2023-11-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 彭洋 ,  成锋 ,  王子睿 ,  王永光 ,  张天宇 ,  朱睿 ,  师晓曼 ,  彭超

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明属于电化学机械抛光领域，具体涉及一种氮化镓晶圆的绿色抛光液。本发明提供了一种以芬顿反应为氧化剂、金刚石为磨粒的氮化镓晶圆的绿色抛光液，采用的抛光液打破了芬顿反应pH不大于3的限制，使抛光液在偏中性环境中仍有较好的氧化性，且抛光液稳定性较好，绿色无污染，抛光效果好。