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公开(公告)号：CN102701138A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210126653.5
申请日：2012-04-27
Applicant: 苏州大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明在于公开了一种金属辅助硅纳米线阵列大面积分层刻蚀和转移方法，将经过一次湿法刻蚀后的Si片在空气中加热处理，使硅纳米线阵列底部的Ag纳米颗粒催化剂部分熔化，并有部分Ag纳米颗粒黏附在硅纳米线阵列的侧壁上，再次刻蚀的过程中黏附的Ag纳米颗粒发生横向刻蚀，使得硅纳米线阵列经二次刻蚀反应产生一个整齐的断层，再使用胶带将断层上的硅纳米阵列剥离下来。本发明提供了一种可用于工业化生产的硅纳米线阵列分层刻蚀与转移的方法，可实现本体硅基底材料的充分利用，及柔性硅纳米器件的制作。
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公开(公告)号：CN103258970A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210346968.0
申请日：2012-09-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管的制备方法，利用物理气相沉积法生长单晶有机纳米线阵列，并以此高密度的有机纳米线阵列为模板，运用原子层沉积(ALD)技术在纳米线表层包裹生长硫化镉（CdS）壳层；通过控制有机纳米线类型和原子层沉积的工艺条件，可方便实现不同种类核壳型有机或无机异质结纳米结构阵列的可控制备；同时通过加热将核壳内有机纳米线蒸发能得到相应的中空无机纳米管阵列。本发明操作简单工艺简单，产物均匀，可控性高，可在原子层级别上控制异质结的形成；该方法制备得到的异质结纳米线以及纳米管阵列在太阳能电池、光开关和传感器等纳米电子、光电子领域具有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103255374A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210346970.8
申请日：2012-09-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：采用电子束沉积工艺在洁净的硅或氧化硅衬底上蒸镀金纳米颗粒薄膜，利用修饰金纳米颗粒的衬底为生长基底，采用物理气相沉积法制备有机单晶纳米线阵列。采用本发明技术方案，操作简单，并实现了在镀金衬底上一步制备大面积一维有机半导体纳米材料阵列。
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