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公开(公告)号：CN115867033A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111119875.X
申请日：2021-09-24
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体存储器结构及其制造方法，其中该半导体存储器结构包含基底，具有元件单元区和接触形成区；存储单元晶体管，设置在元件单元区内的基底上，存储单元晶体管包含栅极和位于栅极和基底之间的电荷存储结构，其中栅极包含位于接触形成区内的延伸部；第一间隙壁，设置在元件单元区内的栅极的侧壁上，其中，第一间隙壁具有第一高度；以及第二间隙壁，设置在接触形成区域内的栅极的延伸部的侧壁上，其中，第二间隙壁具有第二高度，高于第一间隙壁的第一高度。
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