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公开(公告)号：CN106298768B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510315077.2
申请日：2015-06-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及半导体元件的操作方法，该半导体元件包含：基板；深阱区，设置于基板中的一侧；元件区，设置于深阱区中位于基板的该侧；漏极区，设置于深阱区中位于基板的该侧，环绕元件区；栅极结构，设置于基板的该侧上，与深阱区相邻环绕漏极区；阱区，设置于深阱区中位于基板的该侧，环绕栅极结构；源极区，设置于阱区中位于基板的该侧，环绕栅极结构；主体接触区，与源极区分离地设置于阱区中，环绕源极区；以及环型掺杂区，与深阱区分离地设置于基板中的该侧，环绕深阱区。依据操作方法的不同，半导体元件能做为高压侧元件或是整合型靴带式二极管元件。高压侧元件具好的耐压稳定性，以克服现有防护环稳定性不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN115132843A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110417906.3
申请日：2021-04-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极区、漏极区、第一氧化物层、场板与第二氧化物层。栅极结构设置于半导体基底上。源极区与漏极区设置于半导体基底中且位于栅极结构的两相对侧。第一氧化物层包括设置于栅极结构与半导体基底之间的第一部分与设置于栅极结构与漏极区之间的第二部分。场板部分设置于栅极结构之上且部分设置于第一氧化物层的第二部分之上。第二氧化物层包括设置于场板与栅极结构之间的第一部分与设置于第一氧化物层的第二部分与场板之间的第二部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110504326A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810473287.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。
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公开(公告)号：CN106298768A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510315077.2
申请日：2015-06-10
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L29/7823 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/086 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/42368
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及半导体元件的操作方法，该半导体元件包含：基板；深阱区，设置于基板中的一侧；元件区，设置于深阱区中位于基板的该侧；漏极区，设置于深阱区中位于基板的该侧，环绕元件区；栅极结构，设置于基板的该侧上，与深阱区相邻环绕漏极区；阱区，设置于深阱区中位于基板的该侧，环绕栅极结构；源极区，设置于阱区中位于基板的该侧，环绕栅极结构；主体接触区，与源极区分离地设置于阱区中，环绕源极区；以及环型掺杂区，与深阱区分离地设置于基板中的该侧，环绕深阱区。该元件依据操作方法的不同，可以做为高压侧元件或是整合型靴带式二极管元件。
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公开(公告)号：CN118693146A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310352580.X
申请日：2023-04-04
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种功率金属氧化物半导体结构以及其制作方法，其中该功率金属氧化物半导体结构包括一半导体基底、一栅极电极、一场板以及一导电图案。栅极电极与场板设置在半导体基底之上，导电图案在一垂直方向上设置在场板与半导体基底之间，且场板与导电图案位于栅极电极在一水平方向上的同一侧。一种功率金属氧化物半导体结构的制作方法包括下列步骤。在半导体基底的一第一区之上形成导电图案以及场板。然后，在半导体基底的第一区之上形成栅极电极。
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公开(公告)号：CN110504326B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201810473287.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。欧姆接面，包含一接面区域位于第一阱中，以及一第二电极接触接面区域。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。
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公开(公告)号：CN116666458A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210149475.1
申请日：2022-02-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种功率元件及其制作方法，其中该功率元件包含：基底；离子阱，位于基底中；基体区，位于离子阱中；源极掺杂区，位于基体区中；漏极掺杂区，位于离子阱中；以及多个栅极，设置在源极掺杂区和漏极掺杂区之间的基底上。多个栅极包含与源极掺杂区相邻的第一栅极、与漏极掺杂区相邻的第二栅极、以及位于第一栅极和第二栅极之间的叠栅结构。
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