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公开(公告)号：CN105720979A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510939899.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时，逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源，其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言，校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重，以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字，以纠正附加的误差源。此外，另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权，而不生成多个特殊输入电压。
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公开(公告)号：CN105720980A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510940534.7
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及对于每个位电容器具有专用参考电容器的逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)。SAR ADC常规地包括用于实现将模拟输入逐位转换为数字输出的位测试的电路。用于位测试的电路通常加权(例如，二进制加权)，而这些位加权并不总是很理想。校准算法可以校准或校正非理想的位加权并通常优选这些位加权为信号独立的，使得可以易于测量和校准/校正位加权。本文所公开的实施例涉及SAR ADC的独特的电路设计，其中每个位电容器或一对位电容器(具有差分设计)具有相应的专用片上基准电容器。由于片上参考电容(提供快速参考建立时间)，得到ADC的速度较快，并同时与SAR ADC的非理想位加权相关的错误是信号独立的(可以易于测量和校正/校准)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107872227A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710862493.3
申请日：2017-09-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
CPC classification number: H03M1/466 , H03M1/0863 , H03M1/1245 , H03M1/14 , H03M1/68 , H03M1/804 , H03M1/806 , H03M1/468
Abstract: 本公开涉及在模数转换器中增量预加载。在SAR ADC运行期间，在执行位试验之前，几个MSB可以预加载预定位判决。可以提供系统和方法，用于增量地预加载预定位判决，以便在可接受的输入电压的有限范围内保持存在于比较器输入端的电压。
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公开(公告)号：CN107689793B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710653717.X
申请日：2017-08-03
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 本发明涉及在SAR ADC中产生共模补偿电压的系统和方法。在SAR ADC的操作期间，可以通过呈现超过可接受的输入电压的限制范围的比较器输入处的电压来超过比较器的电压限制。本公开提供系统和方法例如用于递送共模补偿电压，使得在所述比较器输入处呈现的电压可以在可接受的输入电压的限制范围内。
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公开(公告)号：CN105720979B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201510939899.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时，逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源，其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言，校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重，以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字，以纠正附加的误差源。此外，另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权，而不生成多个特殊输入电压。
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公开(公告)号：CN105720980B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510940534.7
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及对于每个位电容器具有专用参考电容器的逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)。SAR ADC常规地包括用于实现将模拟输入逐位转换为数字输出的位测试的电路。用于位测试的电路通常加权(例如，二进制加权)，而这些位加权并不总是很理想。校准算法可以校准或校正非理想的位加权并通常优选这些位加权为信号独立的，使得可以易于测量和校准/校正位加权。本文所公开的实施例涉及SAR ADC的独特的电路设计，其中每个位电容器或一对位电容器(具有差分设计)具有相应的专用片上基准电容器。由于片上参考电容(提供快速参考建立时间)，得到ADC的速度较快，并同时与SAR ADC的非理想位加权相关的错误是信号独立的(可以易于测量和校正/校准)。
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公开(公告)号：CN107689793A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710653717.X
申请日：2017-08-03
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
CPC classification number: H03M1/466 , H03M1/1295 , H03M1/0607 , H03M1/468
Abstract: 本发明涉及在SAR ADC中产生共模补偿电压的系统和方法。在SAR ADC的操作期间，可以通过呈现超过可接受的输入电压的限制范围的比较器输入处的电压来超过比较器的电压限制。本公开提供系统和方法例如用于递送共模补偿电压，使得在所述比较器输入处呈现的电压可以在可接受的输入电压的限制范围内。
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