-
公开(公告)号：CN105720979B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201510939899.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时，逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源，其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言，校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重，以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字，以纠正附加的误差源。此外，另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权，而不生成多个特殊输入电压。
-
公开(公告)号：CN104242845B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410277692.4
申请日：2014-06-20
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03F3/70
CPC classification number: H04N5/378 , G01J1/44 , G01J2001/4406
Abstract: 本发明涉及增益测距电荷放大器。系统可以包括像素阵列、选择器、采样器和转换器。所述像素阵列可以生成输出信号，所述输出信号代表入射到像素阵列上的辐射线。选择器可以选择一个输出信号。采样器可以对所选的输出信号采样。转换器可以基于所选的输出信号来生成数字信号。采样器可以包括电荷积分器，所述电荷积分器通过选择第一反馈电容以获得第一样本以及在获得第一样本之后选择第二反馈电容以获得第二样本来补偿选择器的寄生电容。第一反馈电容可以大于第二反馈电容。
-
公开(公告)号：CN105720979A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510939899.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时，逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源，其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言，校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重，以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字，以纠正附加的误差源。此外，另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权，而不生成多个特殊输入电压。
-
公开(公告)号：CN104242845A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410277692.4
申请日：2014-06-20
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03F3/70
CPC classification number: H04N5/378 , G01J1/44 , G01J2001/4406
Abstract: 本发明涉及增益测距电荷放大器。系统可以包括像素阵列、选择器、采样器和转换器。所述像素阵列可以生成输出信号，所述输出信号代表入射到像素阵列上的辐射线。选择器可以选择一个输出信号。采样器可以对所选的输出信号采样。转换器可以基于所选的输出信号来生成数字信号。采样器可以包括电荷积分器，所述电荷积分器通过选择第一反馈电容以获得第一样本以及在获得第一样本之后选择第二反馈电容以获得第二样本来补偿选择器的寄生电容。第一反馈电容可以大于第二反馈电容。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.021 seconds)
