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公开(公告)号：CN111276465A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911223913.9
申请日：2019-12-04
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开涉及高密度自路由金属氧化物金属电容器。用于集成电路的自路由电容器，具有：包括第一基极区域和第一指状物的第一电极，第一指状物从第一基极区域的壁沿第一方向延伸；包括第二基极区域和第二指状物的第二电极，第二指状物从第二基极区域的壁沿基本上平行于第一方向并与第一方向相反的第二方向延伸，第二指状物耦合到第一指状物；包括第三基极区域和第三指状物的第三电极，第三指状物从第二基极的第一壁沿第二方向延伸；和包括第四指状物的第四电极，第四指状物从第三基极区域的第二壁沿第一方向延伸。电容器通过电极的基极区域耦合到其他金属层。
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公开(公告)号：CN111052613B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880058791.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/46
Abstract: 使用逐次逼近(SAR)模数转换器(ADC)执行模数转换的方法。将先前数字输出与基于先前数字输出的第一M位的范围进行比较。如果先前数字输出在该范围内，则在进行位试验之前，将SAR ADC的数模转换器(DAC)与先前数字输出的第一M位一起预加载。如果先前数字输出在该范围外，则在执行位置试验之前，将偏移应用于先前数字输出的第一M位，并基于M位和偏移对DAC进行预加载。这种方法减少下一个输入超出预加载定义的其他范围的可能性。
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公开(公告)号：CN107872227A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710862493.3
申请日：2017-09-22
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
CPC classification number: H03M1/466 , H03M1/0863 , H03M1/1245 , H03M1/14 , H03M1/68 , H03M1/804 , H03M1/806 , H03M1/468
Abstract: 本公开涉及在模数转换器中增量预加载。在SAR ADC运行期间，在执行位试验之前，几个MSB可以预加载预定位判决。可以提供系统和方法，用于增量地预加载预定位判决，以便在可接受的输入电压的有限范围内保持存在于比较器输入端的电压。
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公开(公告)号：CN111276465B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201911223913.9
申请日：2019-12-04
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开涉及高密度自路由金属氧化物金属电容器。用于集成电路的自路由电容器，具有：包括第一基础区域和第一指状物的第一电极，第一指状物从第一基础区域的壁沿第一方向延伸；包括第二基础区域和第二指状物的第二电极，第二指状物从第二基础区域的壁沿基本上平行于第一方向并与第一方向相反的第二方向延伸，第二指状物耦合到第一指状物；包括第三基础区域和第三指状物的第三电极，第三指状物从第二基础的第一壁沿第二方向延伸；和包括第四指状物的第四电极，第四指状物从第三基础区域的第二壁沿第一方向延伸。电容器通过电极的基础区域耦合到其他金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095802A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058797.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 自适应SAR ADC技术可以提高速度和/或降低其功耗。在一些示例方法中，来自模拟输入信号的先前采样的转换的一个或多个位可以被预加载到ADC的DAC电路上。如果确定预加载的位是可接受的，则可以对当前样本进行位试验以确定剩余的位。如果不可接受，则ADC可以丢弃预加载的位并对所有位执行位试验。自适应SAR ADC可以包括控制回路以使用历史数据来调整(例如增加或减少)在随后的位试验中预加载的位数。
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公开(公告)号：CN111052613A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880058791.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/46
Abstract: 使用逐次逼近(SAR)模数转换器(ADC)执行模数转换的方法。将先前数字输出与基于先前数字输出的第一M位的范围进行比较。如果先前数字输出在该范围内，则在进行位试验之前，将SAR ADC的数模转换器(DAC)与先前数字输出的第一M位一起预加载。如果先前数字输出在该范围外，则在执行位置试验之前，将偏移应用于先前数字输出的第一M位，并基于M位和偏移对DAC进行预加载。这种方法减少下一个输入超出预加载定义的其他范围的可能性。
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公开(公告)号：CN107046422A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710068692.7
申请日：2017-02-08
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
CPC classification number: H03M1/1061 , H03M1/069 , H03M1/1033 , H03M1/14 , H03M1/468 , H03M1/0636
Abstract: 本发明公开模数转换器中减少偏移的技术。在一个例子中，逐次逼近寄存器模数转换器包括开关电容数模转换器(DAC)第一阵列，以采样输入信号并将输入信号的样本转换成由多个比特表示的数字值，所述第一阵列包括表示至少一些所述多个位的第一组电容器，开关电容器DAC第二阵列包括表示至少一些所述多个位的第二组电容器，其中，由第二组电容器表示的多个位的至少一个由至少两个电容器表示，并且其中所述两个电容器中的每一个被配置为誓选择性地连接到至少两个基准电位中选定的一个，使得由第二组电容器表示的至少一个比特在至少三个状态之间可切换。
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公开(公告)号：CN105720979A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510939899.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本申请涉及具有片内储能电容的SAR ADC的校准技术。当储能电容移动芯片上用于单个位决定时，逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)具有附加的误差源，其可以显著影响SAR ADC的性能。校准技术可适用于使用决定和设置切换测量和校正SAR ADC中的这些误差。具体而言，校准技术可以使用多个专用输入电压和存储测试下的每一位的校准字而暴露测试的每一位的有效位权重，以校正误差。这种校准技术可减少需要存储每个可能的输出字的校准字，以纠正附加的误差源。此外，另一校准技术可以暴露测试下每位的有效位加权，而不生成多个特殊输入电压。
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公开(公告)号：CN111095802B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880058797.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
Abstract: 自适应SAR ADC技术可以提高速度和/或降低其功耗。在一些示例方法中，来自模拟输入信号的先前采样的转换的一个或多个位可以被预加载到ADC的DAC电路上。如果确定预加载的位是可接受的，则可以对当前样本进行位试验以确定剩余的位。如果不可接受，则ADC可以丢弃预加载的位并对所有位执行位试验。自适应SAR ADC可以包括控制回路以使用历史数据来调整(例如增加或减少)在随后的位试验中预加载的位数。
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