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公开(公告)号：CN116941338A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280016890.8
申请日：2022-02-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B41/30
Abstract: 一些实施例包含一种组合件，其具有沿着存储器阵列区及接近所述存储器阵列区的另一区内的层阶分布的导电结构。所述导电结构包含含金属区之上的第一堆叠。半导体材料在所述第一堆叠内。第二堆叠在所述导电结构之上且包含交替导电层级及绝缘层级。单元材料柱在所述存储器阵列区内。所述单元材料柱包含通道材料。所述半导体材料直接接触所述通道材料。导电柱结构在所述另一区内。所述导电柱结构中的一些是虚设结构且具有完全沿着绝缘氧化物材料的底面。所述导电柱结构中的其它者是与CMOS电路系统电耦合的带电柱。一些实施例包含形成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN116916656A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310389113.4
申请日：2023-04-12
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 罗双强 , I·V·恰雷 , M·K·拉玛萨哈亚姆
IPC: H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/10 , H10B41/20 , H10B43/10 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/20 , G11C16/04
Abstract: 本申请涉及包含互连件的微电子装置及相关存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构，其包括各自包含布置成层的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块，所述块中的至少一个包括：存储器阵列区，其水平区域内具有竖直延伸的存储器单元串；及阶梯区，其与所述存储器阵列区水平相邻。所述阶梯结构具有包括所述层的水平端的台阶；及水平插入于所述阶梯结构和所述存储器阵列区之间的顶峰子区。掩模结构上覆于所述堆叠结构且具有与所述导电材料和所述绝缘材料中的每一个不同的材料组成。经填充槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间，所述经填充槽结构中的至少一个包括具有竖直下伏于所述掩模结构的最上部边界的最上部边界的至少一个填充材料。
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公开(公告)号：CN114725117A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210001489.9
申请日：2022-01-04
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及集成组件和形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、第二存储器区和在所述存储器区之间的中间区。堆叠跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述堆叠包含交替的导电层级和绝缘层级。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。存储器块区跨所述存储器区和所述中间区纵向延伸。阶梯区处于所述中间区内。所述阶梯区中的每一者与所述存储器块区中的两者横向重叠。第一面板区跨所述阶梯区的至少部分纵向延伸。第二面板区在相邻存储器块区之间纵向延伸且提供横向间隔。所述第二面板区具有与所述第一面板区横向不同的尺寸和/或在组成上不同于所述第一面板区。一些实施例包含形成集成组件的方法。
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公开(公告)号：CN114207821A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056219.7
申请日：2020-07-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种微电子装置包括：布置成层级的竖直交替的导电结构和绝缘结构，所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者和所述绝缘结构中的一者；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级中的至少一些的边缘的台阶；源极层级，其在所述堆叠结构下方且包括源极结构和通过至少一个介电材料与彼此且与所述源极结构水平地分离的第一离散导电结构；导电接触结构，其在所述阶梯结构的所述台阶上；以及第一导电柱结构，其与所述导电接触结构水平地交替且竖直地延伸穿过所述堆叠结构到达所述源极层级的所述第一离散导电结构。还描述一种存储器装置，即3D NAND快闪存储器装置，以及一种电子系统。
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公开(公告)号：CN118785710A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410392030.5
申请日：2024-04-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。包括存储器单元串的存储器电路系统包括跨介于存储器阵列区与阶梯区之间的中间区从所述存储器阵列区延伸到所述阶梯区中的垂直交替的绝缘层级及导电层级。所述绝缘层级及所述导电层级包括存储器块，所述存储器块的上部个别地包括子块。子块沟槽在所述上部中、个别地介于所述子块的横向紧邻者之间。所述存储器阵列区中的存储器单元串包括延伸穿过所述存储器块及所述子块中的所述绝缘层级及所述导电层级的沟道材料串。所述存储器阵列区、所述中间区及所述阶梯区中的所述子块沟槽个别地具有顶部。所述阶梯区中的所述子块沟槽中的个别者的所述顶部具有比所述中间区中的所述个别子块沟槽的所述顶部的最窄宽度更大的最窄宽度。所述中间区中的所述个别子块沟槽的所述顶部的所述最窄宽度大于所述存储器阵列区中的所述个别子块沟槽的所述顶部的最窄宽度。公开包含方法的其它实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117529108A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310869794.4
申请日：2023-07-14
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的不同组成的下第一层级与下第二层级的下堆叠。下堆叠包括延伸穿过下第一层级及下第二层级的下沟道材料串。上堆叠直接形成于下堆叠上方。上堆叠包括竖直交替的不同组成的上第一层级与上第二层级。上堆叠包括选择栅极晶体管的上沟道材料串。上沟道材料串中的个别者直接电耦合到下沟道材料串中的个别者。上及下第一层级至少在成品电路系统构造中是导电的。上及下第二层级是绝缘的且包括绝缘材料。包括绝缘体材料的绝缘体层级直接在上第一层级中的最下者下方且直接在下第一层级中的最上者上方。
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公开(公告)号：CN117116307A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310582433.1
申请日：2023-05-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请是针对三维存储器阵列的过渡结构。存储器装置可包含阶梯区，所述阶梯区包含通孔集合。所述通孔集合可包含将存储器区的相应字线板与相关联字线解码器耦合的第一通孔子集，及与所述字线板电隔离的第二通孔子集。所述第二通孔子集可布置于定位于所述第一通孔子集与所述存储器区之间的一或多个行中。在一些情况下，所述第二通孔子集可定位于相应导电触点上方。另外或替代地，所述第二通孔子集可定位于与所述存储器区的柱共享的公共导体上方。
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公开(公告)号：CN116744690A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310231881.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包含堆叠结构、狭槽结构和电介质材料。所述堆叠结构包含各自包含布置成层面的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块。所述块中的至少一个包含阵列区和阶梯区，所述阵列区包含存储器单元串，所述阶梯区包含插入于阶梯结构与所述阵列区之间的顶峰子区。所述顶峰子区内的所述层面的最上部边界位于所述阵列区内的所述层面的最上部边界之下。所述狭槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间。所述电介质材料在所述堆叠结构的所述块上方和之间延伸。位于所述顶峰子区之上的所述电介质材料的部分的厚度大于位于所述阵列区之上的所述电介质材料的额外部分的厚度。
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公开(公告)号：CN115485841A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180016098.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/11556 , H01L27/1157
Abstract: 一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层级的垂直交替的导电结构及绝缘结构，所述层级个别包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括至少一些所述层级的边缘的梯级；导电接触结构，其在所述阶梯结构的所述梯级上；支撑柱结构，其在至少一第一方向上从所述导电接触结构横向偏移且延伸穿过所述堆叠结构；及桥结构，其包括垂直延伸穿过所述堆叠结构的至少一部分的电绝缘材料且在所述支撑柱结构中的至少一些相邻支撑柱结构之间。还描述相关存储器装置、电子系统及方法。
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