公开(公告)号：CN116941338A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280016890.8

申请日：2022-02-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 罗双强 ,  王东 ,  张瑞 ,  邢达 ,  李晓 ,  张佩琼 ,  曾皛

IPC: H10B41/30

Abstract: 一些实施例包含一种组合件，其具有沿着存储器阵列区及接近所述存储器阵列区的另一区内的层阶分布的导电结构。所述导电结构包含含金属区之上的第一堆叠。半导体材料在所述第一堆叠内。第二堆叠在所述导电结构之上且包含交替导电层级及绝缘层级。单元材料柱在所述存储器阵列区内。所述单元材料柱包含通道材料。所述半导体材料直接接触所述通道材料。导电柱结构在所述另一区内。所述导电柱结构中的一些是虚设结构且具有完全沿着绝缘氧化物材料的底面。所述导电柱结构中的其它者是与CMOS电路系统电耦合的带电柱。一些实施例包含形成组合件的方法。

公开(公告)号：CN115734613A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211090632.2

申请日：2022-08-29

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 施凯齢 ,  王东 ,  张佩琼

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/10 ,  H10B43/50

Abstract: 本申请案涉及具有包含与源极/漏极触点间隔的上虚设支柱的晶体管区域的微电子装置以及相关方法及系统。一种微电子装置包含包括布置成层级的绝缘结构及导电结构的垂直交替序列的堆叠结构且所述层级布置成层面。包括通道材料的至少一个有效支柱延伸穿过所述层面到源极/漏极区。至少一个源极/漏极触点也延伸穿过所述层面。在水平地在所述有效支柱与所述源极/漏极触点之间的过渡区域中，至少一个虚设支柱延伸穿过所述层面中的至少一者。所述虚设支柱通过所述层面中的下者的所述层级中的至少一者与所述源极/漏极区分离。所述虚设支柱还与所述源极/漏极触点间隔。还公开额外微电子装置以及相关方法及电子系统。