公开(公告)号：CN116916656A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310389113.4

申请日：2023-04-12

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 罗双强 ,  I·V·恰雷 ,  M·K·拉玛萨哈亚姆

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/10 ,  H10B41/20 ,  H10B43/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  G11C16/04

Abstract: 本申请涉及包含互连件的微电子装置及相关存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构，其包括各自包含布置成层的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块，所述块中的至少一个包括：存储器阵列区，其水平区域内具有竖直延伸的存储器单元串；及阶梯区，其与所述存储器阵列区水平相邻。所述阶梯结构具有包括所述层的水平端的台阶；及水平插入于所述阶梯结构和所述存储器阵列区之间的顶峰子区。掩模结构上覆于所述堆叠结构且具有与所述导电材料和所述绝缘材料中的每一个不同的材料组成。经填充槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间，所述经填充槽结构中的至少一个包括具有竖直下伏于所述掩模结构的最上部边界的最上部边界的至少一个填充材料。

公开(公告)号：CN116364154A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211665200.X

申请日：2022-12-23

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·N·斯卡伯勒 ,  D·R·埃科诺米 ,  J·S·布朗 ,  J·D·霍普金斯 ,  J·D·格林利 ,  M·K·拉玛萨哈亚姆 ,  R·J·克莱因

IPC: G11C16/24

Abstract: 本发明公开具有高导电率及低互电容的位线以及相关设备、计算系统及方法。一种设备包含：位线，其包含铜；低k介电材料，其在所述位线之间；及气隙，其在所述位线之间。所述低k介电材料机械地支撑所述位线。一种制造存储器装置的方法包含：在电绝缘材料的位线沟槽中形成第一导电材料；移除所述位线沟槽之间的所述电绝缘材料的部分；在所述第一导电材料及所述电绝缘材料的剩余部分上保形地形成低k介电材料；及形成亚保形介电材料以在所述位线沟槽之间形成气隙。所述方法还包含：使所述第一导电材料凹进；及用第二导电材料替换所述第一导电材料的移除部分。