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公开(公告)号：CN117677196A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311161767.8
申请日：2023-09-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统。微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包含块区及非块区。所述块区包含在第一水平方向上通过绝缘槽结构彼此分离且各自包含以层级布置的导电材料与绝缘材料的竖直交替序列的块。所述块中的至少一者具有体育场结构，其个别地包含具有包括所述层级中的一些的边缘的梯级的阶梯结构。所述非块区在所述第一水平方向上与所述块区相邻。所述非块区包含额外体育场结构，其个别地终止于所述堆叠结构内相对高于至少部分在其在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上的边界内的所述体育场结构中的至少一者的竖直位置处。
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公开(公告)号：CN116744684A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310033412.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其中所述方法包括形成分别包括竖直堆叠的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。所述导电层面分别包括横向外边缘，所述横向外边缘包括水平地沿着其存储器块延伸的含钼金属导电材料。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。形成水平地沿着所述存储器块从所述横向外边缘横向向外延伸的导电或半导电材料中的至少一种，所述横向外边缘包括水平地沿着其存储器块延伸的含钼金属导电材料。形成水平地沿着所述存储器块从所述导电材料或半导电材料中的所述至少一种横向向外延伸的绝缘体材料，所述导电材料或半导电材料从包括所述含钼金属导电材料的所述横向外边缘横向向外。还公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN113793853A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111082129.8
申请日：2019-10-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及半导体装置和系统，以及形成方法。装置、系统和结构包含布置于层的一或多个层面中的材料的竖直交替层的堆叠。其中可形成沟道支柱的沟道开口延伸穿过所述堆叠。所述支柱包含横向延伸到所述沟道开口的“底切部分”中的“肩部部分”，所述底切部分沿着所述堆叠的所述层面中的至少一个的至少一下部层限定。
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公开(公告)号：CN113785395A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032691.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L21/768
Abstract: 一种用于形成存储器阵列的方法包括在衬底顶上形成导电层，其中所述导电层中包括开口。绝缘体层在所述导电层顶上形成，且所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在所述绝缘体层上方。形成包括沟道材料的延伸穿过所述绝缘层和所述字线层的串。所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料。公开了与方法无关的结构。
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公开(公告)号：CN113675212A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110510519.4
申请日：2021-05-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成所述存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层及导电层。存储器单元的沟道材料串结构延伸穿过所述绝缘层及所述导电层。所述沟道材料串结构分别包括在下部部分上方且与下部部分接合的上部部分。个别所述沟道材料串结构包括在所述上部及下部部分接合的垂直截面中的至少一个外部折弯表面。公开包含方法的其它实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048514B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910955875.X
申请日：2019-10-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及具有延伸穿过层堆叠的沟道开口或支柱的半导体装置和系统，以及形成方法。装置、系统和结构包含布置于层的一或多个层面中的材料的竖直交替层的堆叠。其中可形成沟道支柱的沟道开口延伸穿过所述堆叠。所述支柱包含横向延伸到所述沟道开口的“底切部分”中的“肩部部分”，所述底切部分沿着所述堆叠的所述层面中的至少一个的至少一下部层限定。
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公开(公告)号：CN112992912A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011359112.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及包含堆叠存储器层面的集成组合件及集成组合件形成方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有：第一层面，其具有第一存储器单元；及第二层面，其具有第二存储器单元。所述第一存储器单元具有包含竖直地在第二导电材料的水平延伸条之间的第一导电材料的第一控制栅极区。所述第二存储器单元具有包含沿第三导电材料的外表面的第四导电材料的第二控制栅极区。柱穿过所述第一层面及所述第二层面。所述柱包含横向环绕沟道材料的电介质势垒材料。所述第一材料及所述第四材料直接抵靠所述电介质势垒材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN111063688A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910984475.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成竖向延伸的存储器单元串。本发明揭示独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN117529110A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311590738.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。
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公开(公告)号：CN117177572A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310539708.3
申请日：2023-05-15
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列及相关方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成存储器块区，所述存储器块区个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。所述导电层级个别地包括横向跨越所述存储器块区中的个别者延伸的空隙空间。在所述沟道材料串中的个别者的横向外部的所述空隙空间中形成导电或半导电材料中的至少一者。在所述空隙空间中直接抵靠所述导电或所述半导电材料中的所述至少一者形成导电含钼金属材料，且由此形成包括所述导电含钼金属材料的导电线。所述导电或所述半导电材料中的所述至少一者具有与所述导电含钼金属材料的成分不同的成分。公开包含与方法无关的结构的其它实施例。
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