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公开(公告)号：CN105319844A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463218.5
申请日：2015-07-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 图案收缩方法包含：(a)提供一种包含一或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一或多个待图案化的层上方提供抗蚀图案；(c)在所述图案上方涂布收缩组合物，其中所述收缩组合物包含聚合物和有机溶剂，其中所述聚合物包含基团，所述基团含有可有效地与所述抗蚀图案表面处的酸基和/或醇基形成一键的氢受体，且其中所述组合物不含交联剂；和(d)从所述衬底冲洗残余收缩组合物，留下粘合于所述抗蚀图案的一部分所述聚合物。还提供由所述方法形成的图案收缩组合物，和涂布衬底以及电子装置。本发明尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105733161A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510958811.7
申请日：2015-12-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
CPC classification number: C08L53/00 , B81C2201/0149 , C08L33/12 , C08L25/06
Abstract: 本文中公开一种组合物，其包括嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物包括第一聚合物和第二聚合物；其中所述嵌段共聚物的所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同，并且所述嵌段共聚物形成相分离结构；和添加剂聚合物；其中所述添加剂聚合物包括与其上安置所述添加剂聚合物的衬底反应的反应性部分；并且其中所述添加剂聚合物包括化学上和结构上与所述嵌段共聚物中的一种聚合物相同的均聚物，或其中所述添加剂聚合物包括与所述嵌段共聚物的一个嵌段具有优先相互作用的无规共聚物。
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公开(公告)号：CN105733160A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510954344.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 本文公开一种组合物，其包含：嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物包含第一聚合物和第二聚合物；其中所述嵌段共聚物的所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同并且所述嵌段共聚物形成相分离结构；添加剂聚合物，其包含一种聚合物，其中所述聚合物与所述第一聚合物的表面张力和所述聚合物与所述第二聚合物的表面张力都低于所述第一聚合物与第二聚合物之间的表面张力；其中所述添加剂聚合物包含在安置在衬底上后与所述衬底形成一键或络合物或配位键的反应性官能部分；其中所述反应性官能部分在其是所述组合物的一部分时不反应；以及溶剂。
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公开(公告)号：CN105732972A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993664.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 一种孔隙填充组合物。本发明涉及一种组合物，其包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含：以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；和不含可聚合乙烯基和羟基的封端基团。所述组合物在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105278240B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510359073.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文所揭示的是一种物品，其包含衬底；在所述衬底上安置有一种组合物，所述组合物包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态不同；以及第一聚合物，所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107665814A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710561637.1
申请日：2017-07-11
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/405 , C09D153/00 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/38 , H01L21/0274
Abstract: 一种图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征；(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征，其中所述图案处理组合物包含：嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含：(i)包含由4-乙烯基-吡啶形成的第一单元的第一嵌段，和(ii)包含由乙烯基芳香族单体形成的第一单元的第二嵌段；和(c)从所述衬底去除残余图案收缩组合物，在所述图案化特征的表面上方留下所述嵌段共聚物的涂层，由此提供与涂布所述图案处理组合物之前的图案化特征的图案间距相比减小的图案间距。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105278240A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510359073.4
申请日：2015-06-25
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文所揭示的是一种物品，其包含衬底；在所述衬底上安置有一种组合物，所述组合物包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能比所述第二嵌段高；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似，并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上相同或类似；其中以总固体计，所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置于衬底上时相分离为圆柱形、片层状或球形结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态不同；以及第一聚合物，所述第一聚合物与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上相同或类似。
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公开(公告)号：CN101309943B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200680042772.5
申请日：2006-09-14
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: C08F297/08
CPC classification number: C08F297/08 , C08F4/659 , C08F4/65908 , C08F4/6592 , C08F4/65927 , C08F10/00 , C08F210/06 , C08F210/16 , C08F2410/01 , C08F4/65912 , C08F2/38 , C08F210/14 , C08F2500/03 , C08F2500/20 , C08F2500/12 , C08F2500/08 , C08F4/64048 , C08F4/64193 , C08F4/64148 , C08F4/64144 , C08F2/001
Abstract: 本发明公开了一种或多种可加成聚合单体的聚合方法和所得的聚合物产物，所述方法包括：1)使可加成聚合单体或单体混合物在反应器或反应器区中的加成聚合条件下与包括至少一种烯烃聚合催化剂和助催化剂的组合物接触，特征在于由所述单体形成聚合物链；2)将反应混合物转移至第二反应器或反应器区，并在所述转移之前、同时或之后任选添加一种或多种其它的反应物、催化剂、单体或其它化合物；和3)在所述第二反应器或反应器区中使聚合反应发生以形成不同于步骤1)中形成的聚合物链的聚合物链；所述方法特征在于，在步骤1)之前、期间或之后将链梭移剂添加至反应混合物中，以致至少一些从步骤3)所得的聚合物分子包括两个或两个以上的化学或物理上不同的嵌段或链段。
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公开(公告)号：CN112004818A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980026653.8
申请日：2019-03-18
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: C07F7/08
Abstract: 本公开涉及一种硅封端的有机金属组合物，其包含式(I)化合物。实施例涉及一种用于制备包含所述式(I)化合物的所述硅封端的有机金属组合物的方法，所述方法包含组合起始材料，所述起始材料包含：(A)乙烯基封端的硅基化合物、(B)链穿梭剂、(C)前催化剂和(D)活化剂，由此获得包含所述硅封端的有机金属组合物的产物。在另外的实施例中，所述方法的所述起始材料可以进一步包含(E)溶剂和/或(F)清除剂。
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公开(公告)号：CN112074525A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980026966.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: C07F7/08 , C07F5/06 , C07F5/02 , C07F5/00 , C08F10/00 , C08F2/38 , C08F110/02 , C08F4/64 , C08F4/659 , C08F8/12
Abstract: 本公开涉及一种包含式(I)化合物的硅封端的有机金属组合物。实施例涉及一种用于制备包含所述式(I)化合物的所述硅封端的有机金属组合物的方法，所述方法包含合并起始物质，所述起始物质包含(A)乙烯基封端的硅类化合物和(B)链穿梭剂，从而获得包含所述硅封端的有机金属组合物的产物。在其它实施例中，所述方法的起始物质还可包含(C)溶剂。
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