公开(公告)号：CN107664929A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710570167.5

申请日：2017-07-13

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 ,  陶氏环球技术有限责任公司

Inventor： P·D·休斯塔德 ,  J·朴 ,  张洁倩 ,  V·吉安 ,  成镇旭

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/115 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C09D153/00 ,  G03F7/002 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  C08F220/34 ,  C08F2220/1825 ,  G03F7/32

Abstract: 本文公开一种方法，其包含：将第一组合物安置在衬底上，其中所述第一组合物包含：包含第一嵌段和第二嵌段的第一嵌段共聚物，其中所述第一嵌段包含含有氢受体或氢供体的重复单元，并且所述第二嵌段包含在所述第一嵌段的所述重复单元是氢受体时含有封端供体、或在所述第一嵌段的所述重复单元是氢供体时含有封端受体的重复单元；和溶剂；和用脱保护剂使所述封端受体或所述封端供体脱保护。

公开(公告)号：CN107665814A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710561637.1

申请日：2017-07-11

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 ,  陶氏环球技术有限责任公司

Inventor： 成镇旭 ,  李明琦 ,  朴钟根 ,  J·A·凯茨 ,  V·吉安 ,  C·吴 ,  P·D·赫士德

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/405 ,  C09D153/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274

Abstract: 一种图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征；(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征，其中所述图案处理组合物包含：嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含：(i)包含由4-乙烯基-吡啶形成的第一单元的第一嵌段，和(ii)包含由乙烯基芳香族单体形成的第一单元的第二嵌段；和(c)从所述衬底去除残余图案收缩组合物，在所述图案化特征的表面上方留下所述嵌段共聚物的涂层，由此提供与涂布所述图案处理组合物之前的图案化特征的图案间距相比减小的图案间距。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。

公开(公告)号：CN107665815A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710590169.0

申请日：2017-07-19

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 ,  罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： P·D·休斯塔德 ,  J·朴 ,  J·张 ,  V·吉安 ,  成镇旭

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

CPC classification number: G03F7/094 ,  C08F293/00 ,  C08F293/005 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/16 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  C08F220/34 ,  C08F2220/1825 ,  H01L21/0276 ,  G03F7/30

Abstract: 本文公开一种多层制品，其包含衬底；以及安置于所述衬底上方的两个或更多个层，其中每一所述层包含嵌段共聚物，其包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含含有氢受体或氢供体的重复单元，且所述第二嵌段包含当所述第一嵌段的重复单元含有氢受体时含有氢供体或当所述第一嵌段的重复单元含有氢供体时含有氢受体的重复单元；其中所述两个或更多个层的最内层的所述第一嵌段结合到所述衬底，且安置于所述最内层上方的每一层的所述第一嵌段结合到各别底层的所述第二嵌段；且其中最外所述两个或更多个层的所述第二嵌段的所述氢供体或氢受体为封端的。