间隙填充方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109786223B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN201811331123.8

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法,其包括:提供半导体装置衬底,所述衬底的表面上具有浮雕图像,所述浮雕图像具有多个待填充的间隙;将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层,其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物,其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体,和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元;其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI,以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比;和(ii)一种或多种有机溶剂;固化所述涂层以形成聚亚芳基膜;使所述聚亚芳基膜图案化;以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。

    间隙填充方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109786223A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811331123.8

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法,其包括:提供半导体装置衬底,所述衬底的表面上具有浮雕图像,所述浮雕图像具有多个待填充的间隙;将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层,其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物,其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体,和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元;其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI,以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比;和(ii)一种或多种有机溶剂;固化所述涂层以形成聚亚芳基膜;使所述聚亚芳基膜图案化;以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。

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