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公开(公告)号：CN109786223A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811331123.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , C07C45/69 , C07C49/753
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI，以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(ii)一种或多种有机溶剂；固化所述涂层以形成聚亚芳基膜；使所述聚亚芳基膜图案化；以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。
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公开(公告)号：CN109765758A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811294466.1
申请日：2018-11-01
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 提供采用可湿法剥离的底层组合物制造电子器件的方法，所述组合物包含以下各项的缩合物和/或水解物：包含作为聚合单元的一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体的聚合物，其中所述可缩合含硅部分悬垂于所述聚合物主链上；和一种或多种可缩合硅单体。
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公开(公告)号：CN109786223B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811331123.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , C07C45/69 , C07C49/753
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI，以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(ii)一种或多种有机溶剂；固化所述涂层以形成聚亚芳基膜；使所述聚亚芳基膜图案化；以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。
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公开(公告)号：CN115584177A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210739913.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D133/14 , C09D163/00 , C09D125/18 , C09D161/12 , C09D7/65 , G03F7/09
Abstract: 一种形成图案的方法，该方法包括在衬底上施加涂料组合物层；将施加的涂料组合物固化以形成经涂覆的底层；以及在经涂覆的底层上形成光致抗蚀剂层；其中该涂料组合物包含包含两个或更多个羟基的第一材料；包含两个或更多个缩水甘油基的第二材料；包含受保护的氨基的添加剂；以及溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114647153A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111453047.X
申请日：2021-12-01
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/09 , C08F212/14 , C08F212/08 , C08F220/20 , C08F112/08
Abstract: 一种在衬底上形成图案的方法，该方法包括：在该衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，该光致抗蚀剂底层由包含具有小于110℃的玻璃化转变温度的聚合物和溶剂的组合物形成；对该光致抗蚀剂底层进行金属前体处理，其中该金属前体浸渗该光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化光致抗蚀剂底层。
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公开(公告)号：CN112015049A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010418531.8
申请日：2020-05-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F8/00 , C08G8/28 , C08G8/04
Abstract: 公开了一种抗蚀剂底层组合物，其包括：聚合物，所述聚合物具有聚合物主链和侧接到所述聚合物主链的取代或未取代的富勒烯基团；和溶剂，其量基于总的抗蚀剂底层组合物为50至99.9重量％。
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公开(公告)号：CN114647152A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111444330.6
申请日：2021-11-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 一种在衬底上形成图案的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，其中所述光致抗蚀剂底层由包含聚合物和溶剂的组合物形成，并且所述光致抗蚀剂底层具有大于47at％的碳含量；用金属前体处理所述光致抗蚀剂底层，其中所述金属前体渗入所述光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将所述经金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化的光致抗蚀剂底层。
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公开(公告)号：CN114644875A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111515012.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D171/00 , C09D7/63
Abstract: 公开了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含：聚(亚芳基醚)；具有式(14)的添加剂：D‑(L1‑Ar‑[X]n)m(14)；以及溶剂，其中，在式(14)中，D是取代或未取代的C1‑60有机基团，任选地其中D是所述取代或未取代的C1‑60有机基团的有机酸盐；每个L1独立地是单键或二价连接基团，当L1是单键时，D可以是任选地与Ar稠合的取代或未取代的C3‑30环烷基或取代或未取代的C1‑20杂环烷基，每个Ar独立地是单环或多环的C5‑60芳香族基团，每个X独立地是‑OR30、‑SR31、或‑NR32R33，m是1至6的整数，每个n独立地是0至5的整数，前提是所有n的总和是2或更大，并且R30至R33是如本文所提供的。
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